對MOS管的了解
MOS管的管腳有三個：源極S（source）、栅極G（Gate）和漏極（Drain），但是實際工程應用中，經常無法區分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導通的條件。
MOS管有兩種：一個是PMOS管，一個是NMOS管；PMOS管就是positive管，是積極的管，而NMOS管是negative管，是消極的管。積極的管就是順應潮流，順勢而為；消極的管就是違背趨勢，逆流而上。
很顯然，電流從源極（輸入端）到漏極（輸出端），那就是順勢而為，因為源極就是源頭嘛，是以這種管就是PMOS管；而電流要是從漏極（輸入端）到源極（輸出端），那就是逆流而上，是NMOS管。
N溝道還是P溝道與寄生二極管方向如何判定
N溝道MOS還是P溝道MOS：
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
寄生二極管方向:
不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一緻的：
要麼都由S指向D，要麼都有D指向S
MOS管的連接配接方式
MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，栅極G正電壓時導電溝道建立，N溝道MOS管開始工作。
同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，栅極G負電壓時，導電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。
導通特性
NMOS是栅極高電平（|VGS| > Vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。
PMOS是栅極低電平（|VGS| > Vt）導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，适合用于源極接地時的情況（低端驅動），隻要栅極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，适合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很友善地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間内，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越高，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小機關時間内的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
MOS管驅動
跟雙極性半導體相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，隻要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。如果有興趣，可以在mos的G級串一個電流表，看電流的變化。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，是以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是栅極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，是以這時栅極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都內建了電荷泵，要注意的是應該選擇合适的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
記憶技巧：
1.交叉的線最多的是源極；
2.栅極也就是門（gate），既然是門，就具有控制的職能。
3.無論是PMOS管還是NMOS管，二極管的方向正好與輸入輸出的方向是相反的
4.無論是PMOS管還是NMOS管，栅源極箭頭的方向正好與二極管的方向相同
5.無論是PMOS管還是NMOS管，我們隻需要比較G極電壓與S極電壓大小關系就可以判斷MOS管能不能導通
6.對于PMOS管來說，電流是從源極（輸入端）到漏極（輸出端），從上到下，各節點電平應該是依次變小的，是以栅極G的電壓必須小于源極電壓；換句話說，當UGS<0時，PMOS管才導通。
7.對于NMOS管來說，電流是從漏極（輸入端）到源極（輸出端），從下到上，各節點電平應該是依次變小的，是以栅極G的電壓必須大于源極電壓；換句話說，當UGS>0時，NMOS管才導通。
無論是PMOS管還是NMOS管，它們的實物管腳名稱都是完全一樣的：