互補邏輯和存儲電路的鋸中電器技術
紫外線照射可以有效地去除大部分儲存的電荷，因為任何剩餘的電荷都可能被困在媒體/體界面上。
開關電壓的降低會随着硬腦膜的增加而增加程式設計電壓脈沖（是以FN隧道），器件也可以通過施加一個極性相反的大栅極電壓來通過FN隧道來消除，在長時間的擦除期間，将孔注入介電層，使開關電壓超過其固有值。
本文中使用的程式/擦除時間k比閃存裝置的典型時間（10 ms）要長得多。
這是因為一層介電材料（40納米厚的氧化鋁）既是隧穿材料，又是電荷層材料。
使用多層電媒體堆棧，包括至少一個薄的（小于3納米厚的）隧道介電層和具有較小能帶隙的電荷存儲層(允許電子直接隧穿進入導帶)應該提供更快的程式/擦除操作，以及改善保留和耐力特性。
注意到這一點由于電媒體堆棧是次優的，是以在這裡沒有報告耐力特性。
存儲密度是任何記憶體裝置的一個考慮因素。
如前所述，基于中繼的存儲單元可能可以存儲一個以上的資訊。
以進一步增加儲存密度y，必須減少裝置的布局面積。如果垂直尺寸，如TACT、t接觸點和體電極厚度，與橫向尺寸成比例縮小，則細胞o滲透電壓也會按比例降低。
為了避免接觸區域的粘結問題，幹釋放-蝕刻過程(例如使用無水高頻和蒸汽的混合物在亞大氣壓下的酶甲醇)可以使用。
一個4-T繼電器被證明作為一個記憶細胞。
為了實作快速的程式/擦除操作和較長的保留時間，需要一個多層電媒體。
這樣的電媒體堆棧不會對邏輯繼電器造成問題，因為它隻用于電隔離通道。換句話說，相同的多層介電堆棧可以用于邏輯和存儲器例如，并且不會顯著影響邏輯繼電器的操作、耐久性或可伸縮性。
對于給定的驅動間隙（TACT），繼電器開關電壓将随着而增加栅媒體堆的靜價氣隙厚度-這将非常小，因為栅媒體材料的介電常數将比空氣大得多。
相比之下，介電層也必須在栅極電極和通道區域之間提供足夠的電容耦合；是以，在CMOS技術中，邏輯裝置和記憶體裝置的電子堆棧通常是不同的。
是以，4-T中繼邏輯技術可以提供嵌入式記憶體能力，而不需要顯著的額外專業過程成本。
制造的鋸繼電器顯示完美互補開關行為，對稱的VDD / 2，與極陡峭的開關行為（小于1mV/10年），非常小的開關不對稱（約300 mV)和低的狀态電阻（小于1 kΩ)。
完全互補和對稱的操作提供了零撬杆電流，這證明了一個突然的逆變器電壓傳輸特性。
各種邏輯函數可以通過适當地偏置一個看到來實作鋸繼電器。
跷鋸式繼電器也可以配置為雙穩态鎖存器，是以存儲單元可以用一個繼電器和一個接入半導體或繼電器實作。
鋸齒式繼電器軟體測量俯仰速度與集流參數模組化結果吻合較好。
納米機電繼電器已被提出用于超低功耗數字內建電路應用，因為它們的理想開關行為(零斷态洩漏和突然開啟/原則上，允許電源電壓（VDD）比互補金屬氧化物半導體（CMOS）半導體進一步縮小。
千微米級單端繼電器最近已經被證明，當使用體電極作為門檻值時，它能在超過109個開/關周期和相對較低的栅極電壓擺動（小于2 V）下可靠地工作電壓（VTH）調整器。
繼電器作為“上拉”和“下拉”裝置的操作是實作互補邏輯的理想條件，并進行了示範。
各種功能齊全的數字裝置-內建電路構件，如負載産生電路、振蕩器，已經使用這些單端繼電器和無源電路元件進行了示範。
VTH的值設定為開關與VDD / 2對稱，以最大限度地提高工作電壓裕量和使撬棒電流最小化。
然而，用單端技術來實作這一點是具有挑戰性的繼電器，由于過程誘導的VTH變化及其被動拉出機制。
一個單一的結構也更适合于更緊湊的機械實作簡單的數字邏輯功能，例如，一個單一的微機電結構運作在彎曲模式已被證明是一個門。
可以通過一個大角度（± 10度）旋轉的大量扭轉結構（超過50萬種元素）具有已被證明可以可靠地運作超過10個12個循環，沒有機械故障，如疲勞、應力破裂和蠕變。
一種扭轉射頻微機電系統開關已被證明工作在非常低的接觸電阻小于1Ω，是以低插入損耗。
引用文獻：
[1]費控電能表用繼電器可靠性評估技術研究
[2]智能電能表磁保持繼電器批量檢測方法的研究
[3]淺談智能電能表中繼電器的故障及解決方案
[4]運作中智能電能表的常見故障及解決方案
[5]智能電能表主要故障分析與對策
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