SSD主要主要有三大部分組成：與Host對接的界面(Host interface), 閃存轉換層FTL以及閃存對接界面(Flash interface)。
再把SSD主要的架構圖請上來展示一下：
先插播個預告哈，下一篇文章分享主要的核心部分閃存轉換層FTL。
由于閃存轉換層FTL是NAND閃存總管，負責NAND閃存的衣食住行，是以請出大總管之前，先來欣賞一下NAND閃存的内在氣質。
目前主流NAND閃存都是采用浮栅技術（Floating Gate, 簡稱FG）。
學過數電，模電，半導體實體的你，是否還記得大明湖畔的MOS管嗎？NAND閃存的基本單元就是多出一個浮栅的MOS管。
也許還有與MOS管素未謀面的你，沒關系，你隻要了解NAND閃存的浮栅FG就是存放我們寫入的資料就足夠了。
浮栅FG類似于一個“陷阱”，電子在控制栅（Controll Gate，簡稱CG）的召喚下從溝道歡快地奔向控制栅CG，不幸的是，半道殺出個程咬金-浮栅FG，電子就這樣被困在浮栅了。
NAND閃存利用這個有點“殘忍”的手段實作了上司-主要交給的任務-【資料寫入】。
NAND閃存性本善，電子被困浮栅FG之後, 輸送給基闆（Subsrtate）20V左右的能量，讓基闆奮不顧身的把電子都浮栅中解救出來。
NAND閃存通過把電子從浮栅FG解救出來的過程也實作了上司-主要交給的另一個任務-【資料擦除】。
其實上面看到的浮栅FG結構隻是NAND閃存中的最小單元（Cell)，成千上萬個這樣的單元(Cell)組成的陣列（Array）是才是NAND閃存的真正模樣。
了解NAND閃存陣列之前，先NAND閃存陣列的兩個坐标軸：字線（Word Line,簡稱WL），位線（Bit Line, 簡稱BL)。
WL方向，連接配接着控制栅CG，
BL方向，連接配接着MOS管的漏（Drain），
明白WL和BL的含義之後，讓我們檢閱一下NAND閃存中Cell方陣-Array。
1. Cell沿着BL方向手拉手，排排站，構成了一個串（String），
上圖中左邊有一個String，由64個Cell組成，
2. 共享一組WLs的所有String稱為是一個塊（Block）。
上圖中右邊有兩個Block，Block0由WL Group 0<63:0>組成，Block1由WL Group 2<63:0>組成，
3. 共享一根WL的Cell稱為是一個頁（Page）。
上圖中右邊有兩個Page, Page0是由WL0與偶數BL交叉的Cell構成，Page1是由WL0與奇數BL交叉的Cell構成，
面對龐大的Cell陣營，管理起來實在傷腦筋，于是NAND閃存引入了邏輯頁（Logical page）的管理概念。
有了邏輯頁的概念，就需要把單純的cell根據存儲級别劃分為SLC/MLC/TLC,
SLC Cell存儲1個bit，SLC很單純，很靠譜，很少犯錯，是以SLC Page又被稱為Strong Page；
MLC Cell存儲2個bit，MLC包含有Lower page和Upper page;
TLC Cell存儲3個bit, TLC包含有Lower page, Middle page和Upper page;
本文很簡單的描述了一些NAND閃存相關的概念，後續會針對NAND閃存的讀，寫，擦除作詳細介紹，敬請期待！
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