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3D封裝,全産業鍊缺一不可

作者:半導體行業觀察

1971年英特爾釋出的第一款CPU 4004内部半導體數約有2300個,5年後,英特爾的Ponte Vecchio處理器将47個小晶片超過1000億個半導體封裝到一個處理器中,過程中同時使用2.5D和3D技術。

2022年1月5日,AMD釋出首款3D堆疊的桌面處理器Ryzen 7 5800X3D,益于3D晶片堆疊,相比Zen2,Zen 3的平均性能提高了19%。

2022年3月4日,AI晶片公司Graphcore的Bow IPU晶片采用3D堆疊技術将AI速度提高40%。

2022年3月9日,蘋果釋出了計算機最高端處理器晶片M1 Ultra,将橫向排列的2枚晶片互相連接配接,配備了1140億個半導體。

種種示例表明,2.5D/3D封裝技術正成為晶片性能提升的一大重要手段。通過以最低成本實作最高水準的矽內建和面積效率,3D堆疊技術的重要性正在提高。全新的應用也不斷湧現,3D堆疊技術已成為滿足人工智能、機器學習和資料中心等應用程式所需性能的有利可圖的解決方案。

3D封裝成大勢所趨,技術挑戰不容小觑

随着晶片微縮愈加困難,而市場對晶片高性能的追逐不減,業界開始探索在封裝領域尋求突破,是以這幾年,諸如2.5D/3D的先進IC封裝技術已經成為代工廠、封測廠、IDM、晶片設計廠商以及EDA廠商都競相關注的一環。

但由于成本的原因,進階封裝主要用于高端、面向利基市場的應用,如HPC等。3D封裝技術在HPC等主要的産業推動下迎來快速發展。據Yole 2022Q1釋出的先進封裝市場分析報告,先進封裝市場的整體收入預計将以10.11%的年複合增長率增長,從2021年的321億美元增長到2027年的572億美元。而封裝的各個細分類别中,尤以2.5D/3D封裝市場的年複合增長率最大,從2021年的67億美元增加到2027年的147億美元,高達14.34%。

3D封裝,全産業鍊缺一不可

先進封裝市場營收及預測情況

(圖源:Yole)

不僅僅是晶片制造過程的最後一步,封裝正在成為晶片創新的催化劑。3D封裝技術允許将不同的晶片如CPU、加速器、記憶體、IO、電源管理等像樂高積木一樣拼湊起來,其主要優勢是能實作更好的互連能效,減少通路延遲。例如3D封裝技術允許在計算核心附近放置更多的記憶體,是以可以減少總的布線長度,提高記憶體通路帶寬,改善延遲,提升CPU性能,也是以大大提高了産品級性能、功耗和面積,同時實作對系統架構的全面、重新思考。

如今,3D封裝已成為行業頂尖的晶片企業如英特爾、AMD、NVIDIA、蘋果等緻勝的關鍵技術之一。雖然以3D IC為代表的異構封裝已經成為未來的重點發展方向,但落實新技術要面對不少棘手的問題。相比傳統的封裝技術,2.5D/3D IC異構封裝不僅僅是封裝廠技術的革新,更為原有的設計流程、設計工具、仿真工具等帶來挑戰。

首先,在進行2.5D/3D堆疊之後由于內建度的大幅度提升,發熱量變得更為集中,散熱是一大問題;其次,在晶片、中介層、基闆膨脹、冷縮的過程中,需要保障機械應力的可靠性;再者, 晶片之間的高頻信号,需要滿足時序、信号完整性要求等問題;最後,晶片堆疊完成後,還需要測試上層晶片是否能正常工作,接線是否良好,堆疊過程中沒有被損壞等等。這些都是3D封裝需要面對的難題和挑戰。

3D封裝是全産業鍊共同配合的大業

是以,在這樣的背景下,3D封裝就需要供應鍊多個環節的支援,包括代工廠、封裝廠、EDA廠商、材料廠商等等。

在3D封裝方面,台積電、三星和英特爾這樣的晶圓代工廠是中流砥柱。台積電的“3D Fabric”、英特爾的“Foveros”以及三星的“X-cube”是三大代表的3D封裝技術品牌。根據市場研究公司 Yole Development 的資料,在2022年先進封裝的投資排名中,英特爾和台積電分别占2022年全球先進封裝投資的32%和27%,三星電子排名第四(第三是日月光)。

3D封裝,全産業鍊缺一不可

2.5D和3D封裝解決方案細分領域一覽

(圖源:Yole)

熟悉台積電的都知道,台積電将其SoIC(系統整合晶片)、InFO(整合型扇出封裝技術)、CoWoS(基闆上晶圓上晶片封裝) 等2.5D和3D先進封裝與晶片堆棧技術整合成為了“3D Fabric”品牌。據台積電2022Q2财報說明會,目前台積電為HPC應用開發的3DIC、SoIC技術已經大部分開始被客戶采用,台積電還在日本成立了3DIC中心,并于今年6月份舉行了開幕儀式。

3D封裝,全産業鍊缺一不可

圖源:SemiWiKi

英特爾已将Foveros 3D封裝技術用于其Ponte Vecchio和Rialto Bridge GPU 以及 Agilex FPGA中,英特爾表示,采用 3D Foveros 封裝生産的晶片與标準單片(單晶片)晶片設計相比,在某些情況下具有極強的價格競争力。英特爾于2021年5月宣布将斥資35億美元用于新墨西哥Foveros晶圓廠。

3D封裝,全産業鍊缺一不可

圖源:英特爾

三星在3D封裝方面的核心競争力來自于TSV和 PoP技術。2022年6月,三星成立半導體封裝工作組,顯示了三星對包括3D封裝在内的先進封裝的看重。

除了代工廠,傳統的封裝廠商也在積極向3D封裝技術過渡。封測龍頭日月光是較具實力的一員。2022年6月封測龍頭日月光推出VIPack 3D先進封裝平台,它是由六大核心封裝技術組成,包括日月光基于高密度RDL 的Fan Out Package-on-Package (FOPoP)、Fan Out Chip-on-Substrate (FOCoS)、Fan Out Chip-on-Substrate-Bridge (FOCoS-Bridge) 和Fan Out System-in-Package (FOSiP),以及基于矽通孔(TSV) 的2.5D/3D IC 和Co-Packaged Optics。其他封測廠如安靠、長電科技、通富微電等也在3D封裝領域蓄力。

此外,要制造3D晶片,需要在制造裝置和原材料領域出現新的技術創新。關鍵的重要材料之一是用于多枚晶片連接配接的ABF載闆。ABF載闆是IC載闆中的一種,ABF載闆可做線路較細、适合高腳數高訊息傳輸的IC,具有較高的運算性能,主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高運算性能晶片。近幾年如Chiplet等技術的發展進步,對ABF載闆的需求加大,另外也存在如何提高連接配接速度、改善散熱性和成本削減等課題。目前包括欣興、景碩、南電、Ibiden、Shinko、AT&S等主要ABF載闆供應商都進行了一定的擴産。

3D封裝,全産業鍊缺一不可

IC載闆是一種介于IC半導體及PCB之間的産品,作為晶片與電路闆之間連接配接的橋梁,可以保護電路完整,同時建立有效的散熱途徑。

圖源:stockfeel

但是3D IC封裝所面臨的難題,有時候單靠制造端是解決不了的,需要在晶片設計的一開始就提前規劃。3D IC封裝将不僅僅是“封裝”一個環節的事情,其更多展現在晶片和封裝的協同配合。

3D IC封裝最根本的挑戰來自于應用工具資料庫的轉變。晶片通用的GDS格式與PCB使用的Gerber格式有着根本上的差别,需要重新整合解決方案,以滿足先進封裝要求。此外,規模增長帶來的複雜性也是需要重點關注的問題。在做多晶粒(multi-die)時,面對日益龐大的系統,需要考慮能否承擔并驗證。還有一個值得注意的就是設計規劃,将多個晶片怎樣連接配接起來,用哪些工具去規劃,哪個文檔是正式“黃金參考”版本,都是需要事先确立的。隻有确立了規劃,才能夠進行後續的設計、驗證。此時就凸顯出EDA工具的重要性。

而這些正是西門子EDA這樣的EDA廠商的價值所在,西門子EDA有一套成熟的端到端的EDA解決方案,結合其Xpedition, HyperLynx和Calibre技術,實作了快速有效的設計至GDS 簽核。例如,在晶片仿真驗證階段,結合西門子HyperLynx和Calibre系列工具,可以處理die、package和PCB仿真的協同問題,而不再是專注于單一設計領域;在晶片封裝設計布局階段,西門子Xpedition Package Designer提供高效能的先進封裝技術支援,以及智能布局功能,能提升封裝設計布局效率并縮短布局時間;在測試階段西門子EDA Tessent 工具平台基于工業分析,為3D IC提供內建并且流暢的EDA解決方案,通過靈活而完備的測試組合,實作提高測試覆寫率、降低測試成本、追蹤良率問題的目标。

與此同時,EDA廠商與代工廠和封裝廠的協同合作也愈發重要。在這方面,西門子EDA已與台積電、三星以及日月光等積極展開合作,為他們提供生态上的支援。

其中,早在2020年,西門子EDA就獲得台積電“聯合開發3DIC設計生産力解決方案”年度OIP合作夥伴獎,2021年雙方在雲上 IC 設計以及台積電 3D 矽堆疊和先進封裝技術系列——3DFabric™方面達到了關鍵裡程碑。再者,西門子EDA的高密度先進封裝解決方案已認證三星Foundry最新封裝工藝認證。西門子EDA還利用其Xpedition™ Substrate Integrator 軟體和 Calibre® 3DSTACK 平台與日月光推出新一代高密度先進封裝設計的支援技術,據日月光集團副總裁洪志斌博士表示:“雙方的合作使客戶可以減少2.5D/3D IC和FOCoS的封裝規劃和驗證周期,在每一次設計周期中,大約可以減少30%到50%的設計開發時間。”

結語

随着整個産業鍊逐漸日趨完善,并且不斷推出各領域新的支援的技術,如2.5D和3D封裝技術将成為接下來晶片性能提升過程的中流砥柱,也将是半導體産業的未來。3D封裝正在改變半導體世界,這一次将引起全産業鍊的變革。