5月9日，最新消息稱，全球最大半導體代工廠台積電已經決定上馬1.4nm工藝，團隊主要由之前研發3nm工藝的隊伍組成，下個月将會确認，進入第一階段TV0開發，主要是制定1.4nm的技術規格。
在高精尖晶片工藝方面，台積電有多手準備，目前的3nm計劃在今年下半年開始小規模量産，2nm工藝還處在建設過程，技術研發已經差不多了，預計2024年開始試産，大規模量産估計要等到2026年了。
據了解，1nm這個工藝節點被認為是摩爾定律的實體極限，制造起來相當困難，而1.4nm已經進入1nm的工藝範疇，無論是制造裝置、材料，還是工藝路線都需要全面更新，即便是2nm已經實作了大規模量産，恐怕1.4nm也需要再等個幾年。
小雷此前報道過，三星将會在3nm這個節點中采用全新的GAA FET工藝來提高技術領先地位，實作“彎道超車”，現在已經成功流片，而台積電方面依舊使用FinFET，可能到2nm節點才會使用GAA架構。目前可以确定的是，GAA架構相比于FinFET有着更好的靜電特性，尺寸也可以進一步微縮，适合發展密度更高的半導體。
半導體進入10nm節點工藝後，能玩得起的公司主要就是台積電、三星和英特爾了，如今半導體代工行業裡，占據份額最高，工藝制程最先進的還屬台積電。有分析師稱，Intel會在2025年憑借18A工藝實作超越。雖然台積電目前還處于領先地位，但三星、英特爾追趕的速度很快，要保持行業優勢，或許隻能朝着更先進工藝進發。
不出意外，蘋果、英特爾還是第一批吃上台積電最先進工藝制程的大客戶，安卓陣營可能需要等三星3nm GAA工藝落地。不論如何，工藝制程對性能、能效比等方面的提升還是很明顯的。
當然了，現在談論1.4nm還為時過早，3nm的良率、生産規模尚未成熟，2nm就更别提了。就算1.4nm研發十分順利，可能也要等到2028年，而且小雷預計2nm、1.4nm這兩個節點的晶片，代工成本都會有所上漲。