記憶體的分類

一：SDRAM

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步動态随機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，内部的指令的發送與資料的傳輸都以它為基準；動态是指需要不斷的重新整理來保證資料不丢失；随機是指資料不是線性依次存儲，而是自由指定位址進行資料讀寫。

SDRAM的一些參數：

（1）容量。SDRAM的容量經常用XX存儲單元×X體×每個存儲單元的位數來表示。例如某SDRAM晶片的容量為4M×4×8bit，表明該存儲器晶片的容量為16 M位元組。或128 M bit。　　

（2） 時鐘周期。它代表SDRAM所能運作的最大頻率。顯然，這個數字越小說明SDRAM晶片所能運作的頻率就越高。　　對于一片普通的PC-100 SDRAM來說，它晶片上的辨別10代表了它的運作時鐘周期為10  ns，即可以在100 MHz的外頻下正常工作。例如晶片上标有7.5，表示它可以運作在133MHz的頻率上。

　　

（3） 存取時間。目前大多數SDRAM晶片的存取時間為5、6、7、8或10 ns，但這可不同于系統時鐘頻率。比如晶片廠家給出的存取時間為7 ns而不是存取周期。是以，它的系統時鐘周期要長一些，例如10 ns，即外頻為100 MHz。

（4） CAS的延遲時間。這是列位址脈沖的反應時間。現在大多數的SDRAM(當外頻為100 MHz時)都能運作在CASLatency(CL)＝2或3的模式下，也就是說，這時它們讀取資料的延遲時間可以是兩個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。在SDRAM的制造過程中，可以将這個特性寫入SDRAM的EEPROM中，在開機時主機闆的BIOS就會檢查此項内容，并以CL＝2這一預設的模式運作。　　

（5）綜合性能的評價。對于PC 100記憶體來說，就是要求當CL＝3的時候，tCK(時鐘周期) 的數值要小于10 ns，tAC要小于6 ns。至于為什麼要強調是CL＝3的時候呢，這是因為對于同一個記憶體條，當設定不同CL數值時，tCK的值很可能是不相同的，當然tAC的值也是不太可能相同的。總延遲時間的計算公式一般為：　　總延遲時間＝系統時鐘周期×CL模式數＋存取時間例如，某PC100記憶體的存取時間為6 ns，我們設定CL模式數為2(即CAS Latency＝2)，則總延遲時間＝10 ns×2＋6 ns＝26 ns。這就是評價記憶體性能高低的重要數值。

主要應用于FPGA、記憶體中；

二：SRAM

SRAM（Static Random Access Memory），即靜态随機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它内部存儲的資料。

三：DRAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動态随機存取存儲器，最為常見的系統記憶體。DRAM 隻能将資料保持很短的時間。為了保持資料，DRAM使用電容存儲，是以必須隔一段時間重新整理（refresh）一次，如果存儲單元沒有被重新整理，存儲的資訊就會丢失。 （關機就會丢失資料）

四：DDR

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動态随機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動态随機存取存儲器。

五、DDR2

DDR2z在DDR的基礎上再次進行了改進，使得資料傳輸速率在DDR的基礎上再次翻倍；

它們之間的差別：

SRAM：靜态RAM，不用重新整理，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是靜态RAM，缺點是一個記憶體單元需要的半導體數量多，因而價格昂貴，容量不大。

DRAM：動态RAM，需要重新整理，容量大。

SDRAM：同步動态RAM，需要重新整理，速度較快，容量大。

DDR:SDRAM：雙通道同步動态RAM，需要重新整理，速度快，容量大。