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網傳小米澎湃P1非自研,南芯半導體:消息不實

三言财經2月8日消息,針對有網友稱小米澎湃P1晶片非自研一事,上海南芯半導體科技股份有限公司今日發文稱,小米澎湃P1晶片為小米自研設計、南芯半導體代工(内部代号SC8561),該晶片具備超高壓4:1充電架構,實作了 120W 單電芯充電,,支援1:1、2:1和4:1的轉換模式,所有模式均可雙向導通,可實作有線120W、無線50W、無線反充等多種充電功能。

南芯半導體于2021年9月釋出的南芯SC8571,為超高壓4:2充電架構,可實作120W雙電芯充電,針對超大功率充電需求,支援4:2、2:2兩種模式。

小米自研的澎湃P1充電晶片與南芯SC8571拓撲結構完全不同,是不同設計、不同功能,不同定位的兩顆充電晶片。

網傳小米澎湃P1非自研,南芯半導體:消息不實

今日上午,有網友發文稱小米自研的澎湃P1晶片實際上是購買而非自研。

2021年12月,小米釋出了自研的第三款晶片澎湃P1,并且小米 12 Pro搭載該充電晶片,使得行業首次實作“120W單電芯”充電技術。

以下是全文:

網傳小米澎湃P1非自研,南芯半導體:消息不實

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