非易失性存儲一覽

RAM：随機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“随機存儲器”，是與CPU直接交換資料的内部存儲器，也叫主存(記憶體)。它可以随時讀寫，而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在運作中的程式的臨時資料存儲媒介。

記憶體速度非常快，但是同時也有一個特性就是易失性，當電源關閉時RAM不能保留資料。如果需要儲存資料，就必須把它們寫入一個長期的儲存設備中（例如硬碟）。

硬碟雖然非易失性，但是速度非常慢。是以硬碟和記憶體之間就有非常多的非易失性存儲，一直在發展。今天簡單梳理下常見的：

SSD :

固态硬碟（Solid State Drives），簡稱固盤，固态硬碟（Solid State Drive）用固态電子存儲晶片陣列而制成的硬碟，由控制單元和存儲單元（FLASH晶片、DRAM晶片）組成。

NVDIMM：

non-volaitle dual inline memory module,一種內建了普通DDR RAM + 非易失性FLASH晶片的記憶體條。在系統異常掉電時，NVDIMM借助其後備超級電容作為動力源，在短時間内将資料放入flash晶片，進而永久儲存記憶體中的資料。相比其他媒體的非易失性記憶體，NVDIMM已逐漸進入主流伺服器市場，micron，viking，AGIGA等國外記憶體廠商皆以推出自己的NVDIMM。

3D Xpoint:

3D Xpoint抛棄了在NAND晶片的核心-----半導體。 NAND的工作原理是運動的電子來回在稱為其“浮動栅”的半導體來回跑到，來表示二進制代碼的零與一。 這種技術的一個問題是，它不能在一個時間從新單個比特的資料。需要較大的資訊塊被擦拭，然後重寫以合并更改。

3D XPoint的工作原理與NAND存在着根本性的不同。NAND通過絕緣浮置栅極捕獲不同數量的電子以實作bit值定義，而3D XPoint則是一項以電阻為基礎的存儲技術成果，其通過改變單元電阻水準來區分0與1。

3D XPoint的結構非常簡單。它由選擇器與記憶體單元共同構成，二者則存在于字線與位線之間(是以才會以‘交叉點’來定名)。在字線與位線之間提供特定電壓會激活單一選擇器，并使得存儲單元進行寫入(即記憶體單元材料發生大量屬性變化)或者讀取(允許檢查該存儲單元處于低電阻還是高電阻狀态)。我猜測，寫入操作要求具備較讀取更高的電壓，因為如果實際情況相反，那麼3D XPoint就會面臨着上在讀取存儲單元時觸發大量材料變化(即寫入操作)的風險。