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GF送“助攻”:AMD或将先于Intel上7nm工藝

近日,代工廠GlobalFoundries官方宣布了7nm FinFET半導體工藝規劃,面向資料中心、網絡、進階移動處理器、深度學習等領域。GF目前的主力性能工藝是14nm FinFET,而GF認為10nm和之前的20nm一樣隻是過渡工藝,7nm才是下一個高性能節點,是以它們将跳過行業流行的10nm而直奔7nm。

GF送“助攻”:AMD或将先于Intel上7nm工藝

GF表示,7nm FinFET工藝将使用行業标準的FinFET半導體架構和光刻技術,相比有目前的16/14nm FinFET,電路內建密度可以增加超過1倍,性能則可以提升30%。由于AMD已經和GF簽署了為期五年的晶圓供應協定,将共同進軍7nm。理所應當地,AMD将是GF 7nm FinFET工藝的主要客戶,據稱新處理器代号“Starship”,最多48核心96線程,熱設計功耗180W。

GF送“助攻”:AMD或将先于Intel上7nm工藝

AMD CEO蘇姿豐博士也特别表示:“GF 7nm FinFET等頂級技術是我們計算、圖形産品長期路線圖的重要組成部分,可支撐下一代計算體驗。我們期待與GF繼續緊密合作,延續其在14nm上的堅定執行力和技術基礎,進而在未來幾年内實作高性能低功耗的7nm技術。”

GF送“助攻”:AMD或将先于Intel上7nm工藝

作為GF的技術來源之一,IBM也對其勇敢進軍7nm表達了大力支援。有消息稱,GF 7nm已經開始内部測試,預計2017年下半年開始接受客戶産品設計,2018年初投入試産。另外,除了高性能的7nm FinFET,GF還宣布了下一代低功耗工藝12nm FD-SOI(12FDX)。根據之前的傳聞,Intel 7nm已經推遲到2022年,AMD很可能在其之前享受到7nm工藝帶來的好處。

GF送“助攻”:AMD或将先于Intel上7nm工藝

本文轉自d1net(轉載)

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