1.反相器驱动电容的情形:电容来自于之后的门电路以及导线
p= vs2/2rl + cvs2 f
待机功率加上动态功率
用假设值计算,对于1ghz,108(一个芯片上的门电路数目)门电路,待机功率会达到125kw
,动态功率为250w
实际功率都在100w作用,因此前面的待机功率一定有问题
如何降低?
2.解决方法;当输入高时,导通时,让rl非常大,开路
当输入低,关断时,ron开路
ncoms:栅极电压高时,导通
pcoms:栅极电压低时,导通
将原来的rl替换成 具有互补性质的pmos
这种同时具有nmosfet和pmosfet的电路结果叫做cmos。给定电压下,两个管子必定一个导通,一个关闭
在理想情况下,由于没有从电源到地的通路,因此它不消耗待机功率
另一优势:由于导通电阻都很小且比较接近,因此上升下降时间短而且接近
平均功率为 cvs2 f
目前的处理器,电压大约在1-1.5v,频率3-4g赫兹,功率大约就在100w
如果在空闲时间关闭一些功能单元,就可以进一步降低
同时,由于漏电流的存在,因此也存在待机功率