第二十五课：CMOS 和能量

1.反相器驱动电容的情形：电容来自于之后的门电路以及导线

  p=  vs2/2rl + cvs2 f  

待机功率加上动态功率

  用假设值计算，对于1ghz，108（一个芯片上的门电路数目）门电路，待机功率会达到125kw

,动态功率为250w

    实际功率都在100w作用，因此前面的待机功率一定有问题  

    如何降低？

2.解决方法;当输入高时，导通时，让rl非常大，开路

              当输入低，关断时，ron开路

  ncoms：栅极电压高时，导通

  pcoms：栅极电压低时，导通

 将原来的rl替换成 具有互补性质的pmos

 这种同时具有nmosfet和pmosfet的电路结果叫做cmos。给定电压下，两个管子必定一个导通，一个关闭

  在理想情况下，由于没有从电源到地的通路，因此它不消耗待机功率

   另一优势：由于导通电阻都很小且比较接近，因此上升下降时间短而且接近

  平均功率为 cvs2 f

  目前的处理器，电压大约在1-1.5v，频率3-4g赫兹，功率大约就在100w

  如果在空闲时间关闭一些功能单元，就可以进一步降低

 同时，由于漏电流的存在，因此也存在待机功率