国内8英寸SiC晶圆量产难点：
1.高温工艺关乎着SiC的良率，这也是各大SiC厂商所着力研发的关键环节之一，而除了与硅晶圆在生产工艺上有所差异以外，在SiC从6英寸向8英寸发展的过程中也存在着一些差异。
2.在功率半导体制造的离子注入、薄膜沉积、介质刻蚀、金属化等环节，8英寸碳化硅与6英寸SiC的差距不大。
3.8英寸SiC的制造难点主要集中在衬底生长、衬底切割加工、氧化工艺，其中，衬底生长方面，扩径到8英寸，对衬底生长的难度会成倍增加;衬底切割加工方面，越大尺寸的衬底切割应力、翘曲的问题越显著。
4.氧化工艺一直是碳化硅工艺中的核心难点，8英寸、6英寸对气流和温场的控制有不同需求，工艺需各自独立开发。
5.目前碳化硅产业以6英寸为主流，占据近80%市场份额，8英寸则不到1%，若达到成熟阶段，8英寸单片的售价约为6英寸的1.5倍，且8英寸能够生产的晶粒数约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，晶圆利用率会显著提高。#晶圆ic# #半导体晶圆# #半导体材料刻蚀# #中国晶圆# #揭示芯片门道# #芯片技术的进步# #芯片制造水准# #探讨半导体发展# #高端芯片制造# #探索芯片的未来#
