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作者: 付斌
今年年初，专注于垂直GaN器件的两家公司NexGen和Odyssey接连破产倒闭、出售资产解散引发行业关注。那时候大家都有一个共同的疑问——垂直GaN到底行不行？
昨日，Odyssey买家浮现，Power Integrations（PI）宣布收购与其达成协议，将收购Odyssey资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey所有关键员工都将加入PI的技术部门。
所以问题来了，垂直GaN到底有什么魅力，为什么大家都盯上了这项技术？垂直GaN，未来目标是什么？
垂直GaN的目标是替换SiC
氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）都是宽禁带半导体，一直以来，大家都会按照耐压等级来区分二者的应用范围。
比如说，横向GaN HEMT用于耐压650V以下的应用，包括PC的超小型交流适配器和智能手机的超小型充电器；垂直SiC沟槽MOSFET被应用于耐压1200V以上的应用，包括电动汽车（EV）的牵引逆变器（主电机驱动电路）。
不过，业界一直认为，GaN的潜力比SiC更高。如果将MOSFET和结型FET（JFET）等单极性功率器件的整体适用性与量化整体适用性（降低导通电阻和改善击穿电压的潜力）的巴利加优值（Barriga）指数进行比较，SiC（当用于制造功率器件的晶体多晶型为4H时）为500，而GaN则高得多，为930。
巴利加优值由电子迁移率（μe）、介电常数（ε）和介电击穿强度 （Ec）的物理性质值决定的值。也就是说，在耐压为1200V以上应用时，GaN作为功率器件材料的性能潜力比SiC高。
此外，现在大多数SiC都是使用具有高迁移率的4H-SiC，它在反复反复加热和冷却的环境中使用时，可能会发生相变，导致器件质量变化从而发生故障和失效，所以在制造器件时，就要在器件结构、质量控制、驱动电路、操作条件、系统配置采取更多对策。而GaN的六方纤锌矿结构是一种稳定相，所以很多人就呼吁用更稳定GaN从根本治疗SiC的问题。
但是，目前GaN的拳头应用主要围绕650V以下，也很难突破1200V，这样就很难与SiC竞争，毕竟做不了中高压。
想要进一步突破耐压，要么改善晶体质量本身，进一步减少体材料缺陷密度，要么就是从器件上改变，就是从横向变成纵向。
GaN器件主要分为纵向和横向结构，纵向GaN又称垂直型GaN（Vertical GaN）。
平面型GaN-on-Si与(b)垂直型GaN-on-GaN器件的典型结构
目前，市面上绝大部分GaN都是横向GaN器件，而横向需要扩展器件来增加电压，从而增加芯片面积。垂直GaN功率器件就不受到此限制，电压在厚的低掺杂漂移层上下降，类似于Si和SiC，这样也就能做到更高电压。
不止如此，垂直GaN还能显著地提高功率密度、开关速度以及散热性能，降低导通电阻RDS(on)，减少寄生电容。此外，垂直结构更易于产生雪崩效应，可帮助器件吸收电涌（器件两端电压或导通的电流出现峰值的情况下），保持正常运行，适用于工业应用场景。
所以说，垂直GaN是行业的一个大目标，全世界都在加大力量研发这项技术。把耐压做大，意味着GaN器件能够逐渐渗透到汽车、工业、数据中心等领域。假设未来垂直GaN上车，也能够显著提高电动汽车基本性能。
理想好，落地难
虽然好处多多，但制造起来是个难题，落地更难。
究其原因，就是贵。现在行业主流的形式是GaN-on-Si或者GaN-on-SiC，也就是在Si或者SiC基衬底上做GaN器件。
但垂直GaN器件峰值电场往往出现在远离表面的位置，所以只能用GaN自支撑衬底，也就是GaN-on-GaN。
而目前来看，GaN自支撑外延片的成本较高，此外，目前GaN自支撑衬底的外延片尺寸较小，这就使得单个器件的成本更高。
数据显示，目前2英寸GaN衬底价格高达1.5万元人民币，对比起来，8英寸硅外延片的市场价不到300元。
也就是说，花大力气做的垂直GaN，市场量级撑不起高昂的费用，想要落地就更难了。
美国、欧洲、日本等国家和地区相继发起多项垂直型GaN-on-GaN器件的研发项目。2017年，中国科技部也启动了“第三代半导体的衬底制备及同质外延”重点研发计划，以推动GaN单晶衬底和垂直型GaN-on-GaN功率器件发展。
谁在推进垂直GaN
学术界，垂直GaN是热门话题，欧洲YESvGaN项目、比利时imec、瑞典Rise研究所、苏州纳米所、西安电子科技大学、电子科技大学等均在垂直GaN领域非常活跃。
企业方面，信越化学是离垂直GaN量产最近的一家企业，其主要掌握两个关键技术。
一是用GaN工程衬底实现了1800V耐压。垂直型器件通常需要至少10μm的高质量GaN单晶，目前可商用的GaN单晶尺寸仅为2～4英寸，不仅价格高昂，而且缺陷密度也很高。
而在2019年，信越化学获得了美国QROMIS的(QST)工程衬底专利许可。此前，QROMIS之前发布了6英寸和8英寸的QST衬底，以及具有5μm和10μm厚度的GaN模板，基于该模板生长的GaN器件良率为90%，并且还已证明基于QST的GaN层厚可以达到30 µm，而且无裂纹。
二是衬底剥离技术。QST衬底至今未被大规模商用的原因在于缺乏高校剥离技术，信越化学则联合日本冲电气工业（OKI）开发了CFB（晶体膜键合）技术，实现了GaN功能层与QST衬底的分离，同时还很好地解决缺陷问题，从而使高质量的QST衬底得到极大的改进。
更重要的是，这项新技术，将实现低成本制造垂直GaN功率器件，有望将制造成本降至传统制造成本的10%。也就是说，GaN的材料成本有望下降90%，届时垂直GaN将会拥有很好的效益。
此外，垂直GaN领域也存在许多初创公司。
比如说，2022年报道显示，隆德大学的衍生公司Hexagem正在开创一种垂直纳米线生长工艺，与现今典型的横向GaN器件相比，这些垂直GaN器件每平方厘米包含的缺陷要少得多，这对英飞凌和意法半导体等器件制造商来说是个好消息。
再比如，相继倒下的NexGen和Odyssey，也都曾是这个领域的领先者：
• 2023年2月，NexGen宣布将提供700V和1200V的GaN样品；2023年7月，NexGen还宣布与通用汽车合作的GaN主驱项目已获得美国能源部 (DoE) 的资助——使用NexGen的垂直GaN器件来开发的电力驱动系统；
2022年，Odyssey表示已获得三个客户的承诺来评估这些第一代产品样品；2023年，Odyssey表示正在美国制造工作电压为650V和1200V的垂直GaN FET晶体管样品；同时Odyssey不止一次强调，其650V和1200V垂直GaN器件提供更低的导通电阻和更高的品质因数，其导通电阻仅为碳化硅 (SiC) 的十分之一，并且工作频率显着提高。
• 又比如，广东光大企业集团在半导体领域布局的重点产业化项目——中镓科技曾宣布制备的垂直型GaN–on-GaN SBD器件同时实现了较高的击穿电压和较低的开启电压，以上各项数据均达到国际领先水平，与已报道的传统垂直型GaN SBD相比表现出了优异的特性。此外，在2022年，中镓科技宣布与北京大学、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。
博世对于垂直GaN技术，也跃跃欲试。2022年，消息称博世在采用一家GaN初创公司的外延技术开发垂直氮化镓器件。
PI的动作值得关注
据集邦咨询数据显示，按照2022年的营业收入计算，Power integrations（PI）以20%的市占率排名第一，其次为Navitas（17%）、英诺赛科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。按照这样的数据计算，英飞凌将提升至15%的市场份额，最终可与EPC并列第四。
因此，PI作为GaN领域的领先者，积极布局垂直GaN，非常具有参考意义。
Yole此前预测显示，GaN市场将在2028年达到20.8亿美元，2022年~2028年复合增长率将会保持在44%。其中，汽车和通信就是GaN两个高速增长的市场。
那时候，Yole也预警，GaN增长正在放缓脚步。也就是说，GaN需要不断扩大应用范围，来进一步扩张市场，这包括汽车，也包括PC服务器。想要拿下这块市场，垂直GaN会是非常强的助力。
我们看到，PI已经率先张开手臂，拥抱未来。根据此前大多研究机构给出的结果，2025年或许会是垂直GaN逐步进入量产阶段的关键时间点。届时，GaN市场的打法将会是全面包围SiC，取代SiC。与此同时，GaN与原有硅代工路线极为相似，因此GaN工厂产能扩充也不是问题。