内存或涨价，国产存储芯片未来可期，长鑫存储18.5nmDRAM芯片量产

内存可能要涨价了，但好消息是长鑫存储的18.5nm工艺成功量产。

最近几年，因为种种原因，DRAM芯片的价格一直处在地位，例如，根据TrendForce的统计数据，DRAM芯片的价格，从2021年第四季开始下跌，连续下跌了8个季度，而到了2023年第四季度，开始上涨，止住颓势。NAND Flash闪存芯片也有类似的情况，之前连续下跌4个季度，从2023年第三季度开始上涨。现在预计，这两种存储芯片的价格在2024年第一季度，将会上涨18%左右。甚至到了今年年底，或将上涨60%左右。

看上去还挺吓人的，所以有想买内存和固态硬盘的朋友，可以多留意一下价格变化。当然了，也不用恐慌，因为咱们还有国产芯片可用。

当下，全球存储芯片市场（包括内存和闪存），主要被美日韩三国的企业垄断，例如三星、sk海力士、美光、西部数据、铠侠五个品牌，占据了全球95%的市场份额。

而大陆是芯片需求大国，其中存储芯片占比很高，例如，2023年大陆进口芯片总额3494亿美元，其中存储芯片占了1/3，这是一个巨大的市场空间。

好在，国产芯片已经越来越强。除了大家相对熟悉的长江存储之外，还有一家就是主要做DRAM内存的长鑫存储，并且几年时间下来，也已经达到了世界先进水平。例如去年年底，长鑫存储发布了LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，也成为大陆首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。

头一段时间，又有好消息传来，根据知名媒体DigiTimes的报道，长鑫存储已经在合肥新工厂量产18.5nm工艺的DRAM芯片，并且一期生产线已经接近满负荷运转，主要生产8Gb DDR4和LPDDR4产品，满足PC、服务器、手机等终端市场的需求，初始的月产能已达到10万片晶圆。另外，长鑫存储的二期项目还在建设中，主要生产12Gb LPDDR5和16Gb DDR5产品，可以满足高端市场的需求。预计到今年年底完成，到时候的产能将再增加4万片。最终实现，在全球DRAM总产能中的占比达到10%。

18.5nm工艺与上一代19纳米工艺相比，可以提高30%的芯片容量，降低20%的功耗，提高10%的性能，降低15%的成本。此举也意味着，大陆在DRAM芯片领域，再次获得了重大进展。

虽然18.5nm工艺也是非常先进的工艺之一，但因为被美国列入实体清单，长鑫存储在生产设备方面，被限制在18nm，也就是说，未来再提升工艺制程和产能，会面临很大的困难。但当下，长鑫存储的DRAM产品已经可以满足各种常见场景的性能需求，在这个领域，已经无法彻底卡死我们。这种情况的战略意义重大，实现一定能力的国产化替代，有助于大陆各个高科技产业的进一步发展。

同时，麒麟9000S实现量产之后，也意味着大陆在半导体制造领域已经取得了关键性的技术突破，但当下的使用场景还比较有限，如果后面能拓展到其他种类、其他厂商的芯片制造，那么长鑫存储在工艺制程方面，将会继续向前。

总之，过往觉得芯片技术堪比登天的难，但现在来看，只是我们中国人没去做罢了。不论现在遇到多大的困难，美国使出多少伎俩，中国半导体的崛起已经无法独挡，用不了几年，中国设计、中国生产的高制程工艺芯片，将会遍布世界各地，进入人类日常生活中的电子设备里。