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三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

我们知道三星与台积电在即将到来的先进工艺节点的大规模生产中争夺霸主地位。

据韩国媒体报道,三星电子已开始采用第二代3nm制程技术(SF3)进行芯片试产。这一突破标志着半导体行业的一个重要里程碑。同时,三星预计在未来6个月内将提升良率超过60%。

三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

目前,三星正在测试第一颗在SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性,预计应用于可穿戴设备。最有可能的是,该公司将在三星Galaxy Watch 7和其他设备上发布这款芯片。

SF3工艺是在三星第一代3nm工艺基础上发展起来的3nm级技术。这种新工艺可以生产更高效、更强大的芯片,有望引领人工智能时代。预计三星也将在Exynos 2500芯片上使用该制程节点。Exynos 2500将与三星电子明年推出的“Galaxy S25”系列一起上市。

三星电子表示,今年将专注于生产其3nm芯片SF3 (3GAP)及其更好版本SF3P (3GAP+)。至于2nm节点,三星已经确认将在两年内推出其计划。

三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

根据三星的说法,SF3节点可以在同一单元内实现不同的栅极全能(GAA)晶体管纳米片通道宽度,提供更大的设计灵活性。这也可以为芯片带来更低的功耗和更高的性能,并通过优化设计增加晶体管密度。

SF3对半导体行业带来什么影响?

SF3工艺预计将对半导体行业产生重大影响。这将使生产更高效、更强大的芯片成为可能。这将推进包括人工智能、物联网和汽车在内的各个领域的进步。这种芯片也有可能彻底改变半导体性能和功耗。SF3的主要影响包括:

1. 更广泛的应用:SF3技术有望在更广泛的应用中被采用,使GAA纳米片更具通用性,适用于各种芯片设计。

2. 增加芯片性能:SF3技术旨在提高数据中心CPU和GPU的性能和功率效率,提供比其他代工厂更具竞争优势。

3. 先进封装技术:SF3技术兼容先进封装技术,有助于提高晶体管密度和功率效率。

4. 竞争优势:三星的SF3技术有望率先将GAA fet推向市场,GAA fet在最先进的节点上比finet更能控制电流泄漏。这种竞争优势可以帮助三星保持在半导体行业的地位。

三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

我们再聊一聊三星半导体事业的未来:

三星电子对SF3工艺开发的投资表明了该公司对创新的承诺和引领人工智能时代的雄心。SF3芯片的成功试产证明了三星在半导体技术方面的专业知识及其在竞争中保持领先地位的能力。随着SF3节点的全面投产,三星电子将对半导体行业产生重大影响,并为人工智能时代的发展做出贡献。

三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

该公司的半导体业务预计将在未来继续增长。三星正在大力投资于研发,并扩大其制造能力。去年,三星的半导体技术在人工智能(AI)、高性能计算(HPC)、连接等领域取得了突破。该公司还在引导其半导体合作伙伴进入一个新的增长时代。

另外,三星电子预计将在未来20年投资2300亿美元,发展其在韩国的芯片制造基地。这与振兴国内芯片产业的努力是一致的。

三星电子的第二代3nm制程“SF3”已经开始试产,能否反超台积电?

三星是世界上仅有的三家制造最先进芯片的公司之一。该公司排名第二,仅次于台积电,领先于英特尔。该公司还打算赶超台积电。未来发展能否超越台积电还有待观察,不过对于三星在最近新发布的GalaxyS24系列中重新推出自主芯片Exynos 2400是不错的表现。

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