近日一则关于国产28纳米光刻机即将交付的消息，令无数国人兴奋不已，值得注意的是，这个消息与以往的路边社新闻有所不同，它来自权威媒体，也就基本确定我们的国产28纳米光刻机有戏了。
7月31日，新华网发表了一篇名为《国产光刻机如何突围？》的文章，文章提到了两个方面的内容，一个是关于上海微电子研发的28纳米浸没式SSA/800-10W光刻机预计在2023年年底交付市场。一个是国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。
这两点都是非常重要的信息，我们先说浸没式28纳米光刻机。
众所周知，DUV光刻机中包含了三种类型，他们分别是KrF、ArF、ArFi三种，这三种也分别对应着其先进性，越往后就越先进，比如ArF为干式光刻机，采用193nm波长的光源，最高可以用于65nm的芯片制造。
而ArFi光刻机，也称之为浸润式光刻机，采用水为介质，同样采用了193nm波长的光源，但经过一层水后，就变成了等效为134nm波长的光源，可以用于7nm的芯片制造。
而新华网曝光的这台光刻机为28纳米ArFi浸润式光刻机，它的优势是一次曝光就能生产28纳米芯片，如果套刻精度高于了1.9纳米，还可以用于7纳米芯片生产，并且良率很高，你说兴奋不兴奋？
就目前需求量最大的芯片来说，28纳米及28纳米以上的芯片在全球市场占比高达75%，在我们国内估计要接近80%，如果我们再搞定7纳米芯片，其覆盖范围就可以达到90%以上，单就这一点来说，就基本上解决了我们大半个卡脖子问题，对于ASML来说将是一个重大损失，因为高端EUV光刻机受管制不卖给我们，现在28纳米光刻机又被我们拿捏住了，就算是想卖，可能我们也不会再给他们什么机会了。
另外一方面，28纳米浸没式ArFi光刻机的突破，将标志着我们国产光刻机正式进入第五代ArFi光刻机时代，基本上算是挤进了光刻机第二梯队。
从光刻机的发展历史来看，光刻机经历了 UV 光刻、DUV 干式光刻、DUV 浸入式光刻、EUV 光刻五次迭代，随着光刻技术不断演进，相应的波长也越来越短，以实现更细微的先进工艺制造。如今看来，我们与最先进的EUV光刻机只存在一个代差，确实很鼓舞人心。
EUV光刻机
值得注意的是，这一次新华网还提到了华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”，在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展，理论上来说这是EUV光刻机上才能用到的技术，其中华为的“反射镜、光刻装置及其控制方法”，就与极紫外光刻机有关，主要是提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
当然，要进入第六代EUV光刻机时代，我们还有很长的路要走，不仅是光源不同，还有很多核心技术也存在着很大的差异，我们就拿ASML的第六代EUV光刻机来说，仅零部件就超过了10万个，线路多达4000条，管线长达2公里，总重达到了180吨，这还是次要的，最关键的是，这台机器是由20多国家提供的核心技术，其制造难度直接提升了100级。
最后再给大家来看看光刻机的市场格局：
就目前来说，阿斯麦（ASML）在光刻市场上仍然占绝对“垄断” 地位，该公司在先进制程能用到的 ArF DUV 和 EUV 市场占据了 82.14% 以上的绝对话语权，尤其是 EUV 市场更是包揽了100%的份额。
然后就是日本佳能（Canon），他们主攻 i-line 和 KrF 的成熟制程市场，在全球占有7.65%的市场份额。
而（尼康）Nikon 更是被业界认为有望追赶阿斯麦（ASML）的搅局者，目前在 ArF DUV 市场在全球占比为10.20%，不过与ASML相比仍有相当大的差距。
这一次我们直接跨入了第五代ArFi DUV光刻机时代，将在上面饼形图上撕开一个口子，其意义就不言而喻了！
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