研究透视：Nature Nanotechnology-铁电材料 | 存储器芯片
一百多年前，铁电材料Ferroelectric materials（磁体的电荷等效charge equivalent of magnets），一直是人们持续研究的对象。在这些铁电晶体中，自发电极化是非易失性和可编程的，对一系列信息技术具有吸引力。然而，尽管磁体已经进入各种类型的现代信息技术硬件中，但利用其铁电性质的铁电材料应用，依然有限。具有纤锌矿和萤石结构的铁电材料最新进展，重新激发起科研热情，并为其在微电子硬件商业规模器件应用中，提供了新的机会。
近日，美国 宾夕法尼亚大学（University of Pennsylvania）Kwan-Ho Kim，Deep Jariwala等，在Nature Nanotechnology上发表综述文章，重点关注于最新出现的纤锌矿结构铁电材料，并强调了其在存储器和存储微电子硬件中的应用。同时，也与现有的萤石结构铁电材料进行了相关比较，并展望了铁电材料和器件的应用。
图1:电流与垂直存储器集成计算机体系结构比较。
图2:各种易失性/非易失性存储器non-volatile memory，NVM技术的存取时间与集成密度（以位/mm2为单位）比较。
图3: 铁电薄膜ferroelectric，FE晶体结构模型
图4:基于各种生长方法形成的Al1−xScxN铁电FE性质。
图5:各种已知铁电FE材料的材料/铁电FE特性
图6:四大铁电FE存储器件，以及相应的电流-电压特性示意图。
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本文译自Nature。
