在CMOS工艺设计中,器件的电学特性和温度息息相关, 如何构造出和温度几乎无关的参考基准呢?本章节从温度系数入手,介绍了带隙基准的构造方法,引入了sub-1V BGR电路设计,并分析了其反馈回路的稳定特性…大纲如下:
1.温度系数
2.Sub-1V BGR分析
3.正反馈和负反馈
4.Mismatch考虑
5.高阶补偿考虑
6.Current Mode Vs Voltage Mode BGR
7.如何提高PSRR
8.Summary
![](https://img.laitimes.com/img/__Qf2AjLwojIjJCLyojI0JCLiAzNfRHLGZkRGZkRfJ3bs92YsYTMfVmepNHL9EkaOFTWE9EMBRVT3V1MMBjVtJWd0ckW65UbM5WOHJWa5kHT20ESjBjUIF2X0hXZ0xCMx81dvRWYoNHLrdEZwZ1Rh5WNXp1bwNjW1ZUba9VZwlHdssmch1mclRXY39CXldWYtlWPzNXZj9mcw1ycz9WL49zZuBnLzczM2ITMzkDM1ATNwEjMwIzLc52YucWbp5GZzNmLn9Gbi1yZtl2Lc9CX6MHc0RHaiojIsJye.png)
在CMOS工艺设计中,器件的电学特性和温度息息相关, 如何构造出和温度几乎无关的参考基准呢?本章节从温度系数入手,介绍了带隙基准的构造方法,引入了sub-1V BGR电路设计,并分析了其反馈回路的稳定特性…大纲如下:
1.温度系数
2.Sub-1V BGR分析
3.正反馈和负反馈
4.Mismatch考虑
5.高阶补偿考虑
6.Current Mode Vs Voltage Mode BGR
7.如何提高PSRR
8.Summary