【J. Chem. Inf. Model.：用感应电子密度模拟端部封闭碳纳米管的场发射增强因子】在单壁碳纳米管（SWCNT）的许多场电子发射实验中，SWCNT位于两个分离良好的平行平板中的一个平板上，在它们之间施加宏观场FM。对于SWCNT表面上的任何给定位置“L”，场增强因子（FEF）定义为FL/FM，其中FL是在“L”处定义的局部场。小半径端部封闭SWCNT的最佳发射测量显示出恒定的特征FEF（即，与FM无关）。本文讨论了如何在量子力学（与经典静电学相反）计算中检索这一结果。密度泛函理论（DFT）用于分析两端封闭的两个短的浮式单壁碳纳米管的特性，即a（6,6）和a（10,0）结构。两者实际上具有相同的高度（约5.46 nm）和半径（约0.42 nm）。发现两个SWCNT的局部感应FEF的顶点值相似，与FM无关，并且与经典导体模型中的FEF值相似。建议这些感应FEF值与假定相似的SWCNT纵向系统极化率有关。DFT计算还为两个SWCNT，FM值从3 V/μm至2 V/nm生成了“真实”（而不是“感应”）势能（PE）势垒。沿着SWCNT轴和穿过最顶层原子之一的平行“观察线”的PE分布是相似的。在低宏观场下，两种SWCNT类型的势垒形状细节不同。即使对于FM＝0，在发射体顶点处也存在不同的PE结构（对于两个SWCNT不同）；这表明存在结构特定的化学感应电荷转移和相关的斑点场分布。
来源：Caio P. de Castro, Thiago A. de Assis, Roberto Rivelino, Fernando de B. Mota, Caio M. C. de Castilho, and Richard G. Forbes，Modeling the Field Emission Enhancement Factor for Capped Carbon Nanotubes Using the Induced Electron Density，J. Chem. Inf. Model. 2020, 60, 2, 714–721，DOI：10.1021/acs.jcim.9b00896#科学##物理##碳纳米管##电子发射##场发射#
