氢对纳米的机构有何影响？他们会出现什么反应？具体应该如何证明？
氧化锌纳米粒子 (ZnO NPs) 是具有吸引力的半导体，因为它们具有优异的物理特性，例如 n 型半导体、优异的光学和电子特性、高电子迁移率、电子-空穴对的快速复合、优异的光催化活性、高导热性、和有限的可见光吸收。ZnO NP 的带隙能和激子结合能分别为 3.37 eV 和 60 meV 。
ZnO 具有稳定的六方纤锌矿结构，晶格常数a = 3.250 Å 和c = 5.207 Å。根据这些特性，ZnO NPs 被用于不同的应用，例如太阳能电池、光电器件、气体传感器、生物传感器、发光器件 和光催化。 许多物理和化学参数控制 ZnO NPs 尺寸和形态的合成，如溶剂 pH 、合成溶剂 、退火温度 和掺杂材料 。
银在取代Zn 2+方面具有高亲和力晶格中的离子，从而影响 ZnO 内的高能状态，从而导致带隙能量降低。此外，与纯 ZnO NPs 相比，含 1.0 wt% Ag 的 Ag/ZnO 纳米结构具有良好的光催化和抗菌活性。此外，用 Ag 掺杂 ZnO 纳米结构改变了对红色区域的光吸收，降低了带隙能量，从而增加了光催化和抗菌活性 。
采用水热技术合成了 Ag 含量分别为 0 wt%、5 wt%、10 wt% 和 20 wt% 的银掺杂氧化锌纳米结构 (Ag/ZnO NSs)。将制备的纳米结构在 500°C 下退火 2 小时。通过使用扫描电子显微镜、FTIR、X 射线衍射 (XRD) 和电导率对样品进行表征。FTIR 光谱证实了 Ag/ZnO NSs 中存在与氢相关的浅供体缺陷，这些缺陷与氧空位结合，因此在金属氧化物纳米结构的物理化学性质。
XRD 结果证实 Ag/ZnO NSs 具有多晶六方结构。Williamson-Hall 方法用于估计多晶纳米结构的微观结构特性。通过将 Ag 从 0 wt% 增加到 20 wt%，电导率从 0.60 增加到 1.10 µS/cm，带隙能量从 3.36 减少到 3.10 eV。
氢杂质在 ZnO 结构中形成浅供体缺陷，影响 ZnO 的光学、光电和电学性质 。这项工作的重点是除了作为掺杂材料的 Ag 浓度之外，与氢相关的浅供体缺陷对 Ag/ZnO NS 的化学、结构和形态特性的影响。研究了 FTIR 吸收光谱以研究 Ag/ZnO NS 中与氢相关的浅供体缺陷。此外，X 射线衍射 (XRD) 技术是一种重要的表征工具，可提供有关块状、薄膜和纳米结构的晶相、晶体结构、结晶度和微观结构特性的基本信息。
根据完美水晶向四面八方无限延伸的定义，完美水晶是不存在无限大的。因此，纳米结构不是完美的晶体，因此具有展宽的衍射峰。在纳米结构生长之后和研究物理特性之前，应研究 XRD 表征以确定影响所有物理特性（例如光学、电气和电子特性）的微观结构特性。此外，还研究了 Ag 掺杂和与氢相关的浅供体缺陷对 Ag/ZnO NSs 的光学、光电和电学性质的影响。
Ag/ZnO NS 的电导率值与 Ag 浓度的函数关系。由于氢相关的浅供体缺陷的形成，纯 ZnO NPs 的电导率与 O 和 Zn 极性载流子密度的存在有关。此外，O 空位、Zn 间隙和与氢相关的浅施主是 n 型未掺杂 ZnO NPs 的起源。Ag/ZnO NSs 的电导率从增加到0.600.601.101.10µS/cm，Ag 浓度增加至 20 wt%。此外，ZnO NPs 的电导率图谱显示了薄膜表面电导率的变化，这可归因于生长过程、转移过程的质量和其他参数。Ag 含量的增加导致 Ag/ZnO NSs 薄膜表面电导率变化的增加。
随着入射光子波长从 300 增加到 400 nm，纯 ZnO NPs 的透射光谱的透射率值从 0 急剧增加到 88%，并且在 400-700 nm 范围内没有观察到变化（图 6 ） A）。ZnO NPs 价带中的电子需要高入射光子能量（紫外光）来打破它们并将它们传输到导带。因此，ZnO NPs 在 400 和 700 nm 之间具有高透射率值，这意味着 ZnO 结构中没有自由电子。
结论：
用 Ag 掺杂 ZnO NPs 导致 Ag/ZnO NSs 的形成，并将纳米结构形态从纳米颗粒转变为纳米棒，并增加表面疏水性。掺杂后所得的平均尺寸在 30 和 40 纳米之间。Ag/ZnO NSs 的 FTIR 光谱证实了与氢相关的浅供体的存在，它与氧空位结合。缺陷根据其极性混合到 O 和 Zn 极性 Ag/ZnO NSs 中。
