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资讯丨三星:4nm产能爬坡有延迟,良率不行问题被夸大了

作为全球如今唯一能和台积电相提并论的半导体代工厂,三星在先进制程上一直以来都在和台积电相互竞争。然而就在最近两年关于三星代工却有着诸多的负面消息,并且之前外网也有传言表示三星之前的大客户如高通、英伟达等都考虑转向台积电。

资讯丨三星:4nm产能爬坡有延迟,良率不行问题被夸大了

在近日的财报电话会议上,三星向其股东保证,该公司正在按计划进行。三星电子正努力打消股东对于有传闻称代工部门产率出现问题的担忧。

三星表示,5nm工艺已经进入成熟阶段,还在扩大服务,4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟,但已经进入了预定的良率曲线,未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。

在芯片生产方面,三星电子高级副总裁、代工市场和战略团队主管姜文洙(Kang Moon-soo)表示,5nm工艺已经进入批量生产的成熟阶段,而4nm芯片的产能将很快开始改善,“虽然4nm制程初期的产量扩大有所延迟,但目前正以稳定为重点,进入预期的产量改善曲线。”

他还表示:“通过改善3nm制程的节点开发体系,三星现在对每个开发阶段都有一个验证流程”,他强调这将有助于缩短产量爬坡期,提高盈利能力,并确保更稳定的供应。

资讯丨三星:4nm产能爬坡有延迟,良率不行问题被夸大了

而对于外界最为担心的高通、英伟达等大客户放弃三星转向台积电的消息,三星表示这个情况被夸大了,三星主要客户的代工订单远远超过目前产能,随着公司积极推进先进工艺,未来订单数量还会进一步增加。

“我们认为,最近的市场担忧被夸大了”,姜文洙表示:“与人们对半导体代工的担忧相反,主要客户的需求依然强劲”“未来五年的订单积压量是去年销售额的8倍”。

资讯丨三星:4nm产能爬坡有延迟,良率不行问题被夸大了

此外在本周四,三星电子宣布将在本季度开始使用3GAE (早期3nm级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创3nm级制造技术,也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。

“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。”

三星表示,该工艺将实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及高达80%的晶体管密度(包括逻辑和SRAM晶体管的混合)。

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