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【简讯】 Intel自曝桌面独立显卡;realme Q5规格曝光…

Intel自曝桌面独立显卡

Intel Arc锐炫独立显卡终于发布了,但首批只有低端的移动版,桌面版还得再等等。

日前,Intel预告了一款限量版的桌面显卡,双风扇,双插槽,LOGO信仰灯,三个DP和一个HDMI接口,预计满血32个Xe核心、16GB GDDR6显存。只是不知道“限量”在哪里.

【简讯】 Intel自曝桌面独立显卡;realme Q5规格曝光…

今天,Intel负责图形技术创新的院士Tom Peterson在接受外媒采访时,有意无意地露出了一款桌面显卡的局部,可以看到PCIe x16接口金手指,以及三个8针辅助供电接口。

【简讯】 Intel自曝桌面独立显卡;realme Q5规格曝光…

三个8针接口意味着最大450W供电能力,难道Intel桌面显卡的功耗会如此之高?这个还不好说,但曝光的这个显然还是工程样品甚至是评估样品,可以看到三个8针接口并没有挨在一起,而是彼此有很大空间。

之前预告的限量版渲染图上看不到供电接口,而早先曝光的样卡也只用了8+6针。

Intel已经公布了ATX 3.0电源规范,单个16针接口即可供电最多600W,为何还要用传统的三个8针,可能是早期样品的缘故吧。

realme Q5规格曝光

日前,realme副总裁徐起已经在微博暗示,realme Q5系列即将登场。

今天,知名爆料博主抢先一步爆料,透露realme Q5系列将搭载80W旗舰级闪充,30分钟就能充满5000mAh,回血速度非常快。

据此前消息,realme Q5系列目前已经入网了,且工信部已经公布出了该机的证件照和基本参数信息。其中显示,该机将传承今年realme家族式设计,采用“大眼”的矩阵双摄/三摄方案,边框似乎为直角设计。

【简讯】 Intel自曝桌面独立显卡;realme Q5规格曝光…
【简讯】 Intel自曝桌面独立显卡;realme Q5规格曝光…

参数信息上显示,realme Q5系列核心将搭载高通骁龙870旗舰处理器,最高配备12GB内存、512GB存储,这个配置在Q系列对应的千元档十分难得,再配合上80W闪充,妥妥的千元爆款机型了。

其他方面,realme Q5系列高配版配备了后置6400万+800万+200万三摄,电池为额定4880mAh(双电芯),机身厚度为8.65mm,重量为194.5g,屏幕尺寸为6.62英寸,材质为AMOLED。

realme Q5系列低配版则是1300万+200万后置双摄,电池为额定4880mAh,机身厚度为8.1mm,重量为190g。

河南研究院成功研发半导体装备利器

据半导体行业观察报道,日前位于河南郑州的中国长城旗下的郑州轨道交通信息技术研究院成功研发了支持超薄晶圆全切工艺的全自动12寸晶圆激光开槽设备,可支持5nm DBG工艺。

据官方介绍,该设备除了具备常规激光开槽功能之外,还支持5nm DBG工艺、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圆厂IGBT工艺端相关制程和TAIKO超薄环切等各种高精端工艺,为国产化半导体产业链再添“利器”。

据悉,该设备采用的模块化设计,可支持不同脉宽(纳秒、皮秒、飞秒)激光器。

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自主研发的光学系统,可实现光斑宽度及长度连续可调,配合超高精度运动控制平台等技术,与激光隐切设备完美结合、相辅相成,解决了激光隐切设备对表面材质、厚度、晶向、电阻率的限制,真正实现了工艺的全兼容,对有效控制产品破损率、提高芯片良率有着极大帮助。

据介绍,郑州轨交院的研发团队与国内著名高校的知名专家攻克技术难题,取得了国产开槽设备在5nm先进制程以及超薄工艺(处理器等产品)的重大突破,在晶圆加工稳定性、激光使用效率、产品切割质量等方面均达到了新的高度。

OPPO K10 Pro详细规格泄露

今天,OPPO新机K10 Pro的详细规格被曝光,一同放出的还有手机的“证件照”。

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从放出的信息来看,OPPO K10 Pro将搭载高通骁龙888移动平台,采用6.62英寸的1080P E4材质高刷OLED屏。

摄影上,它前置一颗1600万像素单摄,后置则为5000万+800万+200万的镜头搭配。

续航方面,OPPO K10 Pro的电池采用5000mAh双电芯设计,并支持80W快充;三围尺寸上,162.7×75.7×8.68mm,重量196g。

从照片来看,OPPO K10 Pro的后壳整体采用磨砂材质,后置镜头模组的部分为亮面,在排布规则上有些类似realme的GT 2,前摄则疑似采用了侧边挖孔。

值得一提的是,昨天该博主曾爆料OPPO将推出一款采用骁龙888处理器的中端产品,该产品的大部分参数都与今天曝光的K10 Pro相符。

SK海力士与Solidigm推出企业级固态硬盘P5530

去年末,英特尔发出公告,确认已收到SK海力士(SK Hynix)第一阶段交易所支付的70亿美元,SK海力士购入了包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。随后SK海力士成立了一间名为Solidigm的子公司,将收购英特尔的相关存储业务转移了过去。Solidigm的总部设于美国加利福利亚州的圣何塞,CEO则是由英特尔资深员工Rob Crooke担任。

近日,SK海力士宣布与Solidigm进行首次技术与产品的合作,将SK海力士的128层堆叠的4D NAND闪存与Solidigm的SSD主控和固件专业知识相结合,推出双方第一款合作产品:新型企业级固态硬盘(eSSD)P5530。该款产品支持PCIe 4.0接口,提供了1TB、2TB和4TB容量,并针对特定数据中心用例和目标部署的性能进行了优化。

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SK海力士表示,未来将会和Solidigm一起优化双方公司的运营,创造协同效应和合作伙伴关系。SK海力士期望通过与Solidigm的合作,将其NAND闪存业务的竞争力提升至与其DRAM业务相同的程度。

Redmi Note 12入网

今天,型号为22041216UC和22041216C的小米新机获得了入网许可,据爆料,这两款新机是Redmi Note 12系列。

此前小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰确认,Redmi Note系列会半年一迭代,分别定位是“性能小旗舰”和“体验小旗舰”。去年下半年,Redmi已经推出了Note 11系列,主打的是“体验小旗舰”,那么今年上半年要发布的Redmi Note 12系列定位是“性能小旗舰”。

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根据爆料,Redmi Note 12系列搭载联发科高性能处理器,不是天玑8100。由此猜测,Redmi Note 12系列搭载的可能是联发科天玑1300或者联发科天玑8000芯片。

其中天玑1300基于台积电6nm工艺制程打造,八核心CPU包含4个Cortex-A78,其中1个Cortex-A78作为超大核主频高达3.0GHz,还有4个主频为2.0GHz的Cortex A55核心,GPU为ARM Mali-G77 MC9。

而天玑8000是天玑8100的降频版本,基于台积电5nm工艺制程打造,由四颗Cortex A78大核+四颗Cortex A55小核组成,大核主频为2.75GHz(天玑8100的大核主频为2.85GHz)。

值得注意的是,Redmi Note 12系列的工业设计也是一大看点。有消息称,Redmi Note 12系列工业设计极具辨识度,而且性能强悍、续航持久。

该机有可能会在5月份前后登场。

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