3D NAND闪存技术受追捧 市场有望被全面打开

2018年NAND Flash行业的资本支出实现8年以来的最大增幅，表面了全球存储器厂商对闪存市场的持续看好与积极投入，NAND Flash市场有望被全面打开。据IC Insights的数据预测，2018年NAND Flash行业的资本支出（CAPEX）将比预期产量增加40%以上，其中，3D NAND的市场需求，成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。

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到底是哪些芯片厂商全面看好NAND闪存，正大刀阔斧地加码3D NAND闪存产能？

一方面，国际闪存大厂的3D NAND堆叠大战正在如火如荼地进行中。今年6月下旬，美光公布了2018财年第三季度的结果，同时也公布未来的发展方向，预告在2018年下半年96层3D NAND技术将会开始批量出货，可进一步增加每个芯片的储存容量，从而能够打造出更小，更节能的设备。两周后，三星也高调宣布已开始量产第五代3D NAND闪存颗粒，层叠层数为96层，产能得到30%的提升。同时，根据消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。工控主板

美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。

另一方面，以长江存储为代表的中国存储器厂商，也加快了项目进展的步伐。据公开资料显示，由长江存储主导的国家存储器基地已于2018年4月11日，正式进场安装生产设备。同时，专注于行动式内存的合肥长鑫，以及晋华集成的试产时间也调快至2018年下半年。可以说，2018年或将成为中国存储器的生产元年。

当然，全球的NAND闪存资本支出大增，只能印证NAND闪存行业投资景气的上升，今后存储器的市场表现如何，还需要时间来证明。毕竟在存储器市场的历史先例里，过多的资本支出通常会导致产能过剩和定价疲软，投资风险还是存在的。