以TC58NVG2S3ETA00 为例：
下面是它的一些物理参数：
图一
图二
图三
图四
图五
图6-0
图6-1
说明一下，在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局，其中Data区域用于存放有效的数据，也就是我们可以通过类似read、write、pread、pwrite可以访问的区域，那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的，他们会自动跳过OOB区域，访问OOB区域需要借助特殊的命令。
简单说明一下：Data A(512B)对应的ECC校验码存放在ECC for Data A(4 byte)中，OOB A （8byte) 对应的ECC校验码存放在紧接着的下一个ECC for Data A（4 byte)中，虽然用4字节存放ECC，但是对于本例，ECC只占3个字节。在实际使用中如果解决方案中用不到OOB A/B/C/D，可以不用管他们对应的ECC，只需要关心Data区域对应的ECC。如果使能了硬件ECC，硬件会自动把计算生成的ECC写到OOB中。读NandFlash需要按页读，即一次读一页；写NandFlash需要按页写，即每次写一页；擦除NandFlash需要按块擦，即每次要擦除一块。
对与NandFlash等块设备的访问操作，mtd-utils工具集中提供了非常好的支持（可以到http://www.linux-mtd.infradead.org/进行了解），要使用mtd-utils工具集首先需要搞到mtd-utils的源码，并且使用目标设备上的交叉工具编译链进行编译，具体方法可以参考：，其中介绍了如何生成可以再目标板上运行的mtd-utils工具。关于mtd-utils工具的使用可以参考其中介绍了mtd-utils中常用的工具。
我们可以参考mtd-utils中工具的实现，从而完成在自己的应用程序中实现对NandFlash的操作。常用的命令如下：
#define MEMGETINFO _IOR('M', 1, struct mtd_info_user)
#define MEMERASE _IOW('M', 2, struct erase_info_user)
#define MEMWRITEOOB _IOWR('M', 3, struct mtd_oob_buf)
#define MEMREADOOB _IOWR('M', 4, struct mtd_oob_buf)
#define MEMLOCK _IOW('M', 5, struct erase_info_user)
#define MEMUNLOCK _IOW('M', 6, struct erase_info_user)
#define MEMGETREGIONCOUNT _IOR('M', 7, int)
#define MEMGETREGIONINFO _IOWR('M', 8, struct region_info_user)
#define MEMSETOOBSEL _IOW('M', 9, struct nand_oobinfo)
#define MEMGETOOBSEL _IOR('M', 10, struct nand_oobinfo)
#define MEMGETBADBLOCK _IOW('M', 11, __kernel_loff_t)
#define MEMSETBADBLOCK _IOW('M', 12, __kernel_loff_t)
#define OTPSELECT _IOR('M', 13, int)
#define OTPGETREGIONCOUNT _IOW('M', 14, int)
#define OTPGETREGIONINFO _IOW('M', 15, struct otp_info)
#define OTPLOCK _IOR('M', 16, struct otp_info)
#define ECCGETLAYOUT _IOR('M', 17, struct nand_ecclayout_user)
#define ECCGETSTATS _IOR('M', 18, struct mtd_ecc_stats)
#define MTDFILEMODE _IO('M', 19)
#define MEMERASE64 _IOW('M', 20, struct erase_info_user64)
#define MEMWRITEOOB64 _IOWR('M', 21, struct mtd_oob_buf64)
#define MEMREADOOB64 _IOWR('M', 22, struct mtd_oob_buf64)
#define MEMISLOCKED _IOR('M', 23, struct erase_info_user)
打开设备
这里需要注意的是，打开的设备结点是/dev/mtd?，而不是/dec/mtdblock?，原因可以参考：其中介绍了mtd与mtdblock的区别。
fd = open ("/dev/mtd0", O_SYNC | O_RDWR);
获取设备信息
#include <linux/types.h>
structmtd_info_user {
__u8 type;
__u32 flags;
__u32 size; // Total size of the MTD
The below two fields are obsolete and broken, do not use them * (TODO: remove at some point) */
ioctl(fd, MEMGETINFO,&mtd) ;
其中type可以用来区分是NorFlash还是NandFlash。
擦除NandFlash
写NandFlash
这里分为写数据区和写OOB区
写数据区，对于本例一次要写一页，也就是2KB，写OOB区，对于本例可以操作的只有32字节，剩下的32字节用于存放ECC。
对于写NandFlash，有的设备支持一次性把data和oob一块写进去。代码如下：
#define MEMEWRITEPAGE _IOWR('M', 23, struct mtd_epage_buf)
#define MAX_PAGE_SIZE 8192
#define MAX_OOB_SIZE 512
/*
* Buffer array used for writing data
*/
unsigned char writebuf[MAX_PAGE_SIZE];
char oobbuf[MAX_OOB_SIZE];
读OOB
读OOB跟写OOB类似，只不过使用的命令是MEMREADOOB。
以上只是本人在工作中遇到的，仅供参考。