S3C2440的存储控制器提供了访问外设所需要的信号，它有如下特性：
S3C2440对外引出的27根地址线ADDR0-ADDR26的访问范围只有128MB，而八个片选信号nGCS0-nGCS7对应于BANK0-BANK7，当访问BANKx的地址空间时，nGCSx引脚输出低电平用来选中外接的设备。每个nGCSx对应128MB地址空间，8个nGCSx信号总共对应了1GB。
在TQ2440开发板中BANK6连接SDRAM，CPU对其提供了一组用于SDRAM的信号：
1、SDRAM介绍
SDRAM的内部是一个存储阵列，如同一个二维表格，将数据填进去。其检索原理和表格相同，先指定一个行地址，再指定一个列地址就可以准确找到所需要的单元格。这个单元格被称为存储单元，而表格则称为逻辑BANK(L-BANK)，SDRAM一般有4个L-BANK其逻辑图为上图所示。
访问SDRAM可以分为如下四个步骤：
在TQ2440开发板中使用了两片16位的ADRAM芯片并联组成32位的位宽，与CPU的32根数据线(DATA0-DATA31)相连。BANK6的起始地址为0x30000000，所以SDRAM的访问地址为0x30000000-ox33ffffff，共64MB。
2、存储控制器的寄存器使用
在S3C2440中，存储控制器一共有13个寄存器，BANK0-BANK5只需要设置BWSCON和BANKCONx(x为0-5)两个寄存器，BANK6/BANK7外接SDRAM时，除了WSCON和BANKCONx(x为6-7)外，还需要设置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等四个寄存器。下面分别说明每个寄存器。
位宽和等待控制寄存器BWSCON
BWSCON
说明
STx
启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1
WSx
是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
DWx
使用两位来设置相应BANK的位宽，0b00对应8位，0b01对应16位，0b10对应32位，0b11保留
对于BANK0，它没有ST0和WS0、DW0([2:1])，bank0只支持两种位宽16/32。
BANK控制寄存器BANKCONx(x为0-5)，控制BANK0-BANK5外接设备的访问时序，使用默认的0x0700即可满足TQ2440开发板。
BANK控制寄存器BANKCONx(x为6-7)，在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM或SDRAM，因此其设置方法有所不同。
BANKCONn
MT [16:15]
用于设置BANK外接的是SRAM或SDRAM，00 = ROM or SRAM，11 = Sync. DRAM
Trcd [3:2]
RAS to CAS delay，推荐设置0b01
SCAN [1:0]
SDRAM的列地址位数，00 = 8-bit 01 = 9-bit 10= 10-bit
刷新控制寄存器REFRESH
REFRESH
REFEN [23]
0，禁止SDRAM的刷新功能，1，开启SDRAM的刷新功能
TREFMD [22]
SDRAM的刷新模式。0 = CBR/Auto Refresh 1 = Self Refresh(一般系统休眠时使用)
Trp [21:20]
一般设置为0
Tsrc [19:18]
设为默认值11
Refresh Counter [10:0]
SDRAM的刷新值，Refresh period = (211-SDRAM时钟频率(MHX)+1)/sdram刷新周期(us)
BANKSIZE寄存器
BANKSIZE
BURST_EN [7]
0，禁止ARM核突发传输；1，ARM核支持突发传输
SCKE_EN [5]
0，不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式；1，使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式
SCLK_EN [4]
0，时刻发出SCLK信号；1，仅在访问SDRAM期间发出SCLE信号
BK76MAP [2:0]
配置BANK大小
SDRAM模式设置寄存器MRSRBx（6-7）
MRSRBx
CL [6:4]
SDRAM时序的时间参数设置
3、存储控制器实验;点亮LED灯
从NAND Flash启动CPU时，CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到称为Steppingstone的4KB的内部RAM中(起始地址为0)，然后跳转到地址0开始执行。
本实验先使用汇编语言设置好存储控制器，使外接的SDRAM可用，然后把程序本身从Steppingstone复制到SDRAM，最后跳转到SDRAM中执行。
首先在head.S文件中，完成的工作是设置SDRAM，将程序复制到SDRAM中，然后跳转到SDRAM继续执行。
在leds.c文件中，完成led循环闪烁的实验：
Makefile的编写为：
代码的具体流程图为：
实验结果：
相比于直接在内部SRAM运行结果，可以发现在外部SDRAM运行的LED点灯程序，LED闪烁变慢 。本程序只能将内部SRAM的4KB程序复制到外部SDRAM，当程序大于4KB时，要复制4KB后的代码，就需要使用NAND Flash控制器。
<a href="http://down.51cto.com/data/2387742">实验代码</a>
本文转自 梦想成大牛 51CTO博客，原文链接：http://blog.51cto.com/yinsuifeng/2062029，如需转载请自行联系原作者