出品：放牛班的秘密花园
来源：Verge
编译：Sail2008
责任编辑：Sunnisky
芯片设计的下一个重大进展是向上拓展，垂直叠加晶体管，而非平铺在芯片表面。
IBM和三星宣布了它们在半导体设计方面的最新进展：在芯片上垂直叠加晶体管（而非平铺在半导体表面上）的新方法，可将手机电池续航时间延长到一周。
新的垂直输运场效应晶体管（VTFET）设计意在继承目前一些最高端芯片使用的FinFET技术，使芯片的晶体管密度比现在更高。从本质上说，新设计将在垂直方向上堆叠晶体管，使电流沿着堆叠晶体管上下流动，而非目前大多数芯片所采用的side-to-side水平布局。
VTFET
垂直半导体设计成为趋势已有一段时间，鳍式场效应晶体管（FinFET）提供了其中一些好处。英特尔的未来路线图也在朝这个方向发展，尽管其最初的工作重点是堆叠芯片组件而非单个晶体管。
实际上这很有道理：当你用尽所有方法在一个二维平面上添加更多芯片时，唯一现实的方向（除了物理上缩小晶体管的技术）是向上拓展。
虽然我们离VTFET设计用于实际的消费级芯片还有很长的路要走，但这两家公司做出一些重大声明，它们指出，与FinFET芯片设计相比，VTFET芯片能提供“两倍的性能改进或85%的能耗降低”。IBM和三星称，通过将更多的晶体管封装进芯片中，VTFET技术有助于推进摩尔定律的目标，即稳步增加晶体管数量。
VTFET设计 VS FinFET设计
IBM和三星还列举了这项新技术的一些雄心勃勃的用例，提出“手机电池可能整整一周都无需充电”，可用于能源密集度更低的加密货币挖矿或数据加密、更强大的物联网设备甚至宇宙飞船。
今年初IBM就已展示了它的第一个2纳米芯片，它采用了一种不同的方法，利用现有的FinFET设计，通过增加芯片容积来塞进更多的晶体管。然而，VTFET的目标是更进一步，尽管基于IBM和三星最新技术的芯片可能还要更长的时间才能问世。
它也不是唯一对未来生产进行展望的公司。今年夏天英特尔预先展示了即将发布的RibbonFET（英特尔的环绕栅极晶体管）设计，这是它自己的FinFET后继技术，将成为英特尔20A制程芯片产品的一部分，计划于2024年开始量产。该公司最近还宣布了自己的堆叠晶体管技术计划，作为RibbonFET技术的未来接替者。
声明：著作权所有，转载需授权
Come on，给你的灵魂充充电