各位朋友，今天是2019年9月2日，星期一，农历己亥年八月初四。
“以人为镜，可以明得失；以史为镜，可以知兴替。回望历史上的今天，有些人不该被忘记，有些事不该被抹杀。岁月更替，时序推移，他们终将留在我们的记忆中。”一起来关注历史上的今天有哪些精选大事 。
黄昆简介
1919年9月2日，黄昆出生于北京，黄昆小学就读于北师大附小、上海光华小学，中学在燕大附中、北京通县潞河中学度过。他从小聪明好学，学习成绩优异，高中三年成绩始终是全班第一。
1937年，黄昆考入燕京大学物理系。在大学期间，他对世界新兴的量子力学痴迷，完成了《海森堡和薛定锷量子力学理论的等价性》论文。
1956年，黄昆在北京大学物理系任教授期间，参与创建了中国第一个半导体物理专业，著有《固体物理学》教材。
主要成就
黄昆完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的"黄方程"和"声子极化激元"概念，另一项是与后来成为他妻子的里斯共同提出的"黄-里斯理论"。提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，被称为"黄散射"，与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论;同期佩卡尔发表了相平行的理论，被国际上称为"黄-佩卡尔理论"或"黄-里斯理论";提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，当时提出的方程，被称为"黄方程";研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论，发表了后来被国际物理学界称为"黄-朱模型"的理论。
黄昆详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态，发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式，他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型，得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。
人物评价
黄昆先生最重要的贡献就是创办五校联合半导体专门化，为国家的半导体科技事业培养了一批又一批栋梁英才，为创建和发展中国半导体科技和教育事业、从无到有地建立和发展半导体工业体系起到了开拓性作用。他所倡导的自力更生、团结协作、以及多方争取教育资源等先进的教育思想永远值得我们学习和发扬。
后世纪念：
2006年12月15日，由北京大学物理学院、北京大学微电子研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室联合主办的黄昆先生铜像落成仪式在北京大学物理大楼举行，相关领导和其亲属等一起为铜像揭幕。
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图文：孟田
排版：胡潇雨