本節書摘來自華章出版社《cmos內建電路後端設計與實戰》一 書中的第1章，第1.1節，作者：劉峰，更多章節内容可以通路雲栖社群“華章計算機”公衆号檢視。
內建電路的發展經曆了一個漫長的過程，這裡以時間順序簡單地介紹它的發展過程。1906年，第一個電子管誕生；1912年，電子管制作工藝的日趨成熟引發了無線電技術的發展；1918年，人們逐漸發現了半導體材料；1920年，人們發現半導體材料所具有的光敏特性；1932年，運用量子學說建立了能帶理論研究半導展現象；1947年，美國貝爾實驗室的巴丁等發明半導體，如圖1-1所示。作為劃時代的發明，他們是以獲得了1956年諾貝爾實體學獎。
1952年，英國科學家達默（g. w. a. dummer）第一次提出了內建電路的設想；1958年，ti公司的科學家基爾比（clair kilby）與仙童公司的諾伊斯（robert noyce）先後獨立地發明了內建電路，如圖1-2所示。基爾比等人獲得了2000年諾貝爾實體學獎以表彰他們為現代資訊技術的所作出的基礎性貢獻。
1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的矽外延平面工藝制造了第一塊公認的大規模內建電路。1971年，intel公司生産出第一個微處理器晶片4004，如圖1-3所示。
1988年，16mb dram問世，1cm2大小的矽片上內建有3500萬個半導體，标志着進入超大規模內建電路階段。1997年，300mhz奔騰Ⅱ問世，它采用0.25μm工藝，奔騰系列晶片的推出讓計算機的發展如虎添翼，發展速度讓人驚歎。2009年，intel酷睿i系列全新推出，采用32nm工藝。
內建電路的內建度從小規模到大規模、再到超大規模的迅速發展，關鍵在于內建電路的布圖設計水準的迅速提高，內建電路的布圖設計由此日益複雜而精密。這些技術的發展，使得內建電路的發展進入了一個新的發展。相信随着科技的發展，內建電路還會有更高的發。