中商情報網訊：與矽基半導體材料相比，以碳化矽為代表的第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，适合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。中商産業研究院釋出的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球SiC功率半導體市場規模為21.2億美元，受益于新能源汽車及光伏領域需求量的高速增長，預計2024年全球SiC功率半導體市場規模預計将達26.6億美元。
資料來源：Omdia、中商産業研究院整理
目前大陸已将碳化矽半導體納入重點支援領域，随着國家“新基建”戰略的實施，碳化矽半導體将在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大資料中心等新基建領域發揮重要作用。從下遊應用市場占比情況來看，新能源汽車應用占比最大，達到38%；其次是消費類電源，占比為22%；光伏逆變器占據着15%的份額。
資料來源：CASA、中商産業研究院整理
随着新能源汽車的發展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導體器件新的增長點。碳化矽器件在新能源汽車産業中主要應用在電機控制器（電驅）、車載充電機OBC、DC/DC變換器以及充電樁，碳化矽器件相比矽基器件有更優越的實體性能，體積小，性能優越，節能性強，同時緩解了續航問題，更适應新能源汽車增加續航裡程、縮短充電時長、提高電池容量、降低車身自重的需求。近年來，大陸新能源汽車市場快速發展。2024年1-3月，新能源汽車産銷分别完成211.5萬輛和209萬輛，同比分别增長28.2%和31.8%，市場占有率達到31.1%。
資料來源：中汽協、中商産業研究院整理
在光伏發電應用中，基于矽基器件的傳統逆變器成本約占系統10%左右，卻是系統能量損耗的主要來源之一。使用碳化矽 MOSFET 或碳化矽 MOSFET 與碳化矽 SBD 結合的功率子產品的光伏逆變器，轉換效率可從 96%提升至 99%以上，能量損耗降低 50%以上，裝置循環壽命提升 50 倍，進而能夠縮小系統體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生産成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆變器的未來發展趨勢。
更多資料請參考中商産業研究院釋出的《中國碳化矽行業市場前景及投資機會研究報告》，同時中商産業研究院還提供産業大資料、産業情報、行業研究報告、行業白皮書、行業地位證明、可行性研究報告、産業規劃、産業鍊招商圖譜、産業招商指引、産業鍊招商考察&推介會、“十五五”規劃等咨詢服務。