2024年以來，SiC産業延續了2023年的火熱态勢，企業圍繞技術研發、簽單合作、投融資、IPO、産能建設等方面忙得不亦樂乎，各大廠商頻頻有利好消息傳出。
在投資擴産大旗下，2024年以來已有超30個項目披露了新進展，或簽約、或開工、或封頂、或投産，各個項目都在積極推進當中，不斷為SiC産業發展注入新動力。
這數十個項目中，不乏投資上百億的大手筆，彰顯了相關企業對于自身以及整個SiC産業發展的信心。
01
新項目占據半壁江山
在新能源汽車、光儲充等市場需求推動下，SiC功率器件用量持續走高，前景光明。據TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。
盡管SiC功率器件市場規模将持續增長，但其仍處于供不應求狀态，擴産順理成章，在市場大蛋糕吸引下，衆多SiC相關廠商紛紛加入投資擴産行列。2024年以來，據集邦化合物半導體不完全統計，有十多個SiC相關項目簽約落地或進行環評公示，這些項目都在進行開工前準備工作。
從投資規模來看，嘉興國家高新區SiC半橋子產品制造項目、賽達半導體SiC外延項目、連城數控第三代半導體裝置研發制造項目、摩珂達SiC項目、江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目總投資額均在10億元（含）以上。其中，摩珂達SiC項目将投資超50億元，成為規模方面的領頭羊。
source：瀚海嘉興國際創新中心
從産能來看，嘉興國家高新區SiC半橋子產品制造項目規劃建設年産90萬套SiC半橋子產品制造生産線及相關配套，賽達半導體SiC外延項目2027年規劃産能為30萬片/年，普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片産業化項目将實作年産24萬片SiC外延片，東尼電子擴建SiC項目将年産20萬片SiC襯底，江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目（一期）将年産40萬片SiC襯底，這些項目在産能方面成為佼佼者。
從内容來看，這些新落地項目覆寫SiC産業鍊大部分環節，部分新項目聚焦襯底/外延環節，這是SiC功率器件生産的關鍵環節，也是能夠快速有效實作降本增效的部分，包括天睿半導體項目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底産業化項目等。
其中，天睿半導體項目将建立8英寸SiC和GaN晶圓廠，并通過産業并購和建立項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關裝置生産等全産業鍊。
部分新項目緻力于生産SiC功率器件/子產品，包括臻驅半導體SiC功率子產品項目、揚傑科技SiC子產品封裝項目、愛矽科技車規級SiC子產品封裝産品項目等。其中，揚傑科技是國内少數集半導體分立器件晶片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等産業鍊垂直一體化（IDM）的廠商。
這些新項目當中，連城數控第三代半導體裝置研發制造項目是少有的SiC裝置相關項目。該項目拟投資不超過10.5億元，規劃建設SiC長晶和加工裝置的研發和生産制造基地。
source：連城數控
在SiC裝置方面，連城數控于2020年底開始對SiC晶體生長爐進行研發立項，2021年9月開始對SiC等超硬材料多線切割機研發立項。2023年上半年，連城數控取得了多項技術研發成果，如創新推出單晶爐裝置“一鍵拉晶”系統、液相法SiC長晶爐順利下線并取得客戶數台訂單、SiC立式感應合成爐科研成果通過專家團鑒定等。
02
巨頭雲集，項目建設熱火朝天
2024年以來，已開工、正在積極建設中的項目同樣數量衆多、各具特色。其中，三責新材南通二期高精度高純度半導體裝置用SiC部件項目于3月15日開工，作為九峰山實驗室重大配套工程的武漢新城化合物半導體孵化加速及制造基地項目則于5月6日開工。
source：三責新材
同時，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、湖南三安半導體基地項目二期、重慶三安半導體SiC襯底項目、天域半導體總部、生産制造中心和研發中心建設項目、天科合達SiC項目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項目建設取得新進展。
其中，湖南三安半導體基地二期工程在今年1月已進入廠房裝修後期階段，總投資為80億元，全面達産後将實作50萬片6英寸SiC襯底的年産能；2月初，重慶三安半導體SiC襯底項目B1棟封頂，規劃總投資70億元，規劃年産能為8英寸SiC襯底48萬片；作為今年以來少有的傳出新進展的國際廠商項目，耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。
這些正在積極推進的項目，大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面，天域半導體總部、生産制造中心和研發中心建設項目投資額達80億元，建成後用于生産6英寸/8英寸SiC外延片，總産能達150萬片/年，第一期預計在今年4月開始投産。基于此項目，天域半導體有望成為國内較早實作8英寸量産的企業之一。
器件方面，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投産。該項目總投資預計200億元，一期總投資100億元，可年産36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。
2024年内，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、嘉興斯達SiC晶片研發及産業化項目、天域半導體總部、生産制造中心和研發中心建設項目、天科合達SiC項目二期等有望竣工投産，為SiC材料及器件領域發展注入新動力。
03
産能可觀，多個項目進入量産前夜
在2023年的緊張建設後，部分項目在2024年迎來了驗收或投産的高光時刻，包括重投天科第三代半導體SiC材料生産基地、同光股份SiC襯底和粉體項目、斯科車規級SiC晶片模組項目、智新科技SiC子產品項目二期等。
其中，重投天科第三代半導體SiC材料生産基地于2月27日正式啟用。該項目總投資32.7億元，重點布局6英寸SiC單晶襯底和外延生産線，預計今年襯底和外延産能達25萬片。
今年3月，同光股份旗下的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收。該項目自2017年啟動規劃，曆時七年，于2024年3月順利完成驗收，意味着該項目全面投入生産已無障礙。
與此同時，斯科車規級SiC晶片模組項目正處于試生産階段，該項目達産後，将形成年産240萬套SiC半橋子產品的生産能力。在SiC産品加速上車趨勢下，該項目有望成為斯科半導體業績增長新引擎。
04
總結
SiC材料的供應緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發展的主要因素之一，國内外SiC相關廠商順勢開啟了洶湧的擴産潮，并延續到了2024年，賽達半導體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠商圍繞襯底外延材料，紛紛開啟了年産能達數十萬片的大項目，将有助于緩解材料供不應求的現狀。
而在大手筆的産能擴張背後亦蘊藏着價格下跌和産能過剩風險，正在或計劃擴産的廠商們必須重視相關潛在風險并積極調整應對。在此情況下，在SiC襯底外延材料市場供應趨于穩定後，相關廠商将更多注意力轉移到器件、裝置和終端應用等方面，一定程度上将是更加明智的選擇，更有利于提升競争力。
2024年以來，晶能微電子、臻驅半導體、揚傑科技、摩珂達、愛矽科技新簽約SiC功率器件/子產品項目，連城數控則新簽約SiC裝置項目，都有望在對應的細分賽道分一杯羹。
車用場景目前仍然是SiC最大應用市場，圍繞車規級SiC産品，揚傑科技、泰科天潤、斯科半導體、智新科技、重慶三安等企業相關項目均取得了積極進展，有望加快車規級SiC産品國産替代程序。
2024年取得新進展的項目當中，部分為在已有項目基礎上進行的擴建，也有部分項目主體在2024年首次規劃SiC相關項目，彰顯了SiC産業是一片投資興業的熱土，未來大機率将有更多廠商投建項目，也将有更多項目落地實施。
整體來看，SiC産業目前是一個快速成長的市場，各大廠商都意識到了規模的重要性，圍繞SiC全産業鍊開啟了宏偉的增資擴産計劃，可以預見，未來随着市場規模不斷擴大，SiC産業的競争将日益激烈。
來源： 集邦化合物半導體
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