ASML 價值 3.5 億歐元的 High-NA EUV 光刻機已獲得 10~20 個訂單

IT之家 2 月 13 日消息，荷蘭半導體制造裝置巨頭 ASML 前天剛剛展示了其下一代高數值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機，還透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻機的價格約為 3.5 億歐元（IT之家備注：目前約 27.16 億元人民币）。相比之下，現有的 EUV 光刻機價格約為 1.7 億歐元（目前約 13.19 億元人民币），當然具體價格要取決于具體型号和配置。

此外，ASML 還告訴路透社，該公司截至目前已收到包括英特爾和 SK 海力士在内數家公司的“10 到 20”個訂單，并計劃到 2028 年每年生産 20 台。

ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機代表了該公司技術的巅峰，每台裝置重達 150,000 公斤，相當于兩架空客 A320 客機，需要 250 個集裝箱運輸，運到客戶手裡後還要再由 250 名工程師花費六個月的時間組裝。

即将推出的 High-NA EUV Twinscan EXE 光刻機能夠實作 8nm 的分辨率，而現機器隻能通過單次曝光達到 13nm 的分辨率，這使得下一代半導體尺寸将縮小約至 1.7 分之 1，半導體密度增加近三倍，對 3nm 以下工藝至關重要，而這也是業界在 2025 年至 2026 年之間希望達到的目标。

當然，現有 EUV 光刻機也可以實作同樣的分辨率和半導體密度，但它們需要采用更昂貴的材料和更複雜的雙 / 多重曝光技術，而采用 High-NA EUV 技術則可以簡化生産流程、提高良率并有效降低成本。

不同的晶片制造商對部署 High-NA EUV 機器的規劃也不同，例如英特爾就計劃在其後 18A 工藝中使用 High-NA EUV 光刻機，而台積電則會采取更謹慎的做法，預計将在 2030 年左右才會将其用于 1nm 級節點（未确認具體時間）。