回首2023，碳化矽和氮化镓行業取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024将迎來哪些新機遇和新挑戰？
為更好地解讀産業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。
本期嘉賓是飛锃半導體CEO 周永昌。接下來還将有更多的領軍企業參與《行家瞭望》，敬請期待。
出貨量突破2400萬顆
拓展車載OBC、光儲應用
行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？
周永昌：2023年我們公司在多個方面取得了不錯的成績：
● 首先是碳化矽器件的出貨量。
截至2023年，1200V碳化矽器件累計出貨超過了2400萬顆，得到了新能源汽車、消費電子以及工業市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升，相比2022年，SiC MOSFET創造的營收從17%增長至50%，這表明市場對我們産品的認可，也推動了公司業務的持續增長和市場地位的提升。
● 其次是市場新能源OBC應用突破
我們通過了客戶的上車驗證，已批量供應給車載電源的頭部企業。在11KW OBC方面，飛锃半導體1200V 碳化矽MOSFET也已在用戶端驗證。
● 第三是進一步光儲充市場佔有率。
2023年，我們通過與客戶緊密合作，聚焦客戶的光儲逆變器新品開發需求，成功研發并推出了更适合目前光儲使用者需求的新款SiC二極管，通過了客戶的驗證并實作了規模化生産。
飛锃半導體2023年關鍵工作：
新産品、車規、市場、創新
行家說三代半：取得這些成績，貴公司主要做了哪些關鍵性工作？
周永昌：2023年我們的碳化矽業務主要圍繞産品“練内功”和市場開拓來展開。
● 一是推出了第三代碳化矽MOSFET，包含多種市場主流規格，如1200V 14/18/30/40/80mΩ和750V 11mΩ。
與我們上一代産品相比，新一代SiC MOSFET産品具備了更好的參數一緻性、更低的開關損耗、以及更出色的導通特性，可滿足充電樁、光伏&儲能、車載OBC/DCDC/主驅等領域的高可靠性和高性能需求。在不同栅極驅動電阻的情況下，我們的第三代碳化矽MOSFET的反向恢複損耗以及總開關損耗都有很大的改善。
● 二是實作了車規級碳化矽突破。
飛锃半導體自主研發的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車規級SiC MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級可靠性認證，并且通過了HV-H3TRB測試，使得飛锃半導體成為國内少數SiC功率分立器件産品通過雙重考核的廠商之一。
其中，飛锃半導體1200V車規級SiC MOSFET采用18V/20V栅極驅動電壓，650V車規級SiC MOSFET采用15V栅極驅動電壓。
● 三是在與客戶共同開發碳化矽子產品，以滿足更大功率和更高功率密度設計的需求。
● 四是市場開拓取得了更大突破。
由于我們成功推出了新一代的SiC MOSFET和車規級SiC MOSFET，我們在2023年與更多的新能源、光儲、充電樁等領域的領軍企業建立了緊密的合作夥伴關系。通過共同推動碳化矽技術在各個領域的應用，我們解決了技術難題，共享資源和經驗，加速了産品的研發和推廣，實作了互利共赢。
● 五是技術創新。
截止2023年，我們在碳化矽領域持續進行技術創新和産品研發，并積累了豐富的技術和經驗，獲得了超過40餘項自主研發的專利，還有50餘項專利正在申請中。
行家說三代半：能否談談貴公司在車規碳化矽的政策和規劃？
周永昌：我們與新能源汽車領域的領先企業初步達成合作，成功向多家客戶提供車規級碳化矽MOSFET産品進行驗證，同時我們也積極拓展其他汽車客戶的合作，争取獲得更多市場佔有率。
不過，從業務節奏來說，我們飛锃半導體并沒有追求過快上車，因為我們認為目前SiC功率器件仍面臨一些挑戰和堵點，國内碳化矽企業需要進一步克服。
首先，碳化矽上車要確定良率和設計工藝的可靠性。
碳化矽器件中最為關鍵的是門檻值電壓（Vth）的漂移和栅氧可靠性，這是評價碳化矽MOSFET可靠性水準的核心參數，國内的碳化矽産品仍需要通過可靠性結果來電腦件需要多久才能持續滿足規範要求。
其次，産品必須通過AEC-Q101的基本保障，以確定産品符合汽車行業的嚴格要求。飛锃半導體注重品質管理和可靠性保證。我們嚴格執行國際标準的品質管理體系，并通過ISO 9001認證和IATF16949稽核。通過建立可靠的産品供應鍊和嚴格的品質控制流程，我們能夠確定産品的一緻性和可靠性，提供穩定的産品品質給客戶。
總之，我們将繼續緻力于克服上述這些挑戰，不斷提升産品的可靠性和性能，為實作國産SiC晶片的上車能力做出努力。
5大政策應對行業内卷
3大戰略提升領先地位
行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業規模化發展需要接近矽器件的低成本，但也要防止被低價所反噬，您如何看待行業的低價和同質化競争？貴公司有哪些好的做法和建議？
周永昌：中國碳化矽市場正在經曆變局，競争日益激烈，各企業不斷降低成本以争奪市場佔有率。面對當下“卷”的市場，我們也認為行業“非競争不發展”。我們将有5個方面的應對措施。
● 一方面，我們要加強國内産業鍊協同，實作價格競争力。為此在外延和襯底方面，我們選擇國内外襯底原材料供應商建立穩定緊密的合作關系，以確定供應鍊的穩定和高效運作。
● 另一方面，我們要增強晶片可靠性優勢和傳遞優勢。為此在晶片制作方面，我們與晶圓代工廠積塔半導體合作，積塔半導體是國内最早量産6英寸碳化矽器件的代工廠，通過他們的制造能力和資源，實作産品的生産和高品質傳遞。
● 第三，我們要發揮資源和經驗優勢。我們也堅信在目前的市場環境中，我們有自己的核心競争力。2015年開始，飛锃半導體就開始研發碳化矽産品，并在這個行業中積累了多年的經驗，擁有了一定體量的穩定客源，近兩年來市場蓬勃發展，我們的業務模式也得到了諸多下遊使用者的認可支援，在此前的行業周期中我們的産品供應總是可以保質保量完成，是下遊客戶可以信賴的合作夥伴。
● 第四，我們要在保持原有市場佔有率和穩定增長的基礎上，将加大對新應用市場的投入。特别是在光儲、新能源汽車和工業自動化等領域，我們将以客戶為中心，密切關注市場趨勢和客戶需求，并加強技術研發和創新，通過提供定制化的碳化矽解決方案，我們将滿足不同行業的需求，拓展市場佔有率。
● 第五，我們将加強國際市場合作。SiC器件市場是全球性的，各個國家都在積極推動其發展。我們可以借鑒國外的經驗和技術，與國際企業建立合作夥伴關系，互相學習和共同發展。通過開展國際合作，我們可以拓寬市場管道，提高産品的競争力和影響力。
行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規劃和目标？
周永昌：對于飛锃半導體而言，2024年是關鍵的一年，我們将通過3個戰略方向，來進一步鞏固和拓展在碳化矽市場的領先地位，實作持續增長和業務的全面發展。
● 一方面，進一步擴大SiC MOSFET的應用市場。
盡管在2023年，我們的SiC MOSFET取得了顯著的增長，但仍有很大的發展潛力，是以我們将繼續與合作夥伴密切合作，擴大SiC MOSFET在新能源、光儲、充電樁等領域的應用。
● 另一方面，發力車載領域。
2023年，我們的SiC MOSFET獲得了車規認證，并且推出了6.6kW OBC、11kW OBC、2-3kW 車載DCDC等應用方案，相關産品已經商業化量産，将逐漸批量供貨。
2024年我們計劃與更多汽車廠商合作，将SiC MOSFET應用範疇進一步擴充，為電動汽車的動力電子、充電系統等關鍵部件提供高效、可靠的解決方案。
● 第三，繼續擴充SiC 二極管的“朋友圈”。
我們将專注于工業自動化、電力傳輸、光伏等大功率、高壓和大電流的應用市場，與客戶緊密合作，通過不斷改進産品性能和品質，提供可靠的産品和技術支援，來滿足不同行業對高性能SiC二極管的需求，為客戶的實際應用提供最佳的解決方案。