前言
随着新的一年的腳步漸近，充電頭網彙總了2023年各大知名功率器件企業推出的一系列創新參考設計。這些設計不僅涵蓋了最新的技術趨勢，還展現了行業領先的工程思想。它們的目标是為工程師們提供寶貴的資源，在電子産品和系統的開發過程中，幫助他們降低設計和實施過程中的風險，同時顯著提高工作效率。
這些參考設計不僅可以作為一個可靠的指導，還能助力工程師們加速整個開發周期，進而在競争激烈的市場中更快地推出創新和高效能的産品。
參考設計彙總
CorEnergy能華
能華36W氮化镓擴充卡方案
傳統Si擴充卡方案工作在CCM模式，主開關器件除了存在導通損耗和開關損耗，還有副邊反向恢複轉移到原邊的損耗，并且Si MOS的結電荷比較大，開關速度慢，導緻的開關損耗也比較大。是以原邊主開關器件整體損耗比較大，需要增加大片的鋁散熱片，增加了人工打螺絲等工序，極大減慢生産速度，加工成本居高不下。
能華推出的氮化镓擴充卡方案采用QR模式，在低壓輸入條件下實作完全的ZVS，沒有開關損耗，也不存在副邊反向恢複轉移過來的損耗，隻有導通損耗，是以發熱大大降低，可以采用TO-252貼片封裝，直接采用SMT工藝,而無需增加散熱片輔助散熱，避免了大片的散熱片和打螺絲這種耗費人工的加工方式，極大提升生産效率。
DX氮矽科技
氮矽科技120W GaN擴充卡方案
氮化镓在快充領域，可謂是如火如荼，然而随着技術的不斷更新，氮化镓也逐漸開始多元度發展，如今在擴充卡領域也已愈演愈烈。GaN所帶來的低導阻、高效率優勢，能進一步縮小産品體積，提升能效，将擴充卡的功率密度帶上一個新的高度。
近日，充電頭網從氮矽科技官方管道了解到，針對擴充卡領域，氮矽科技推出120/240W 兩款GaN擴充卡方案，為客戶提供更具成本效益的擴充卡方案參考。
氮矽科技120W GaN擴充卡方案，主要IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。
在整個負載階段，氮矽科技120W GaN擴充卡方案平均效率都在92%以上，其中最高效率最高達到了94.50%。在待機功耗方面，氮矽科技120W GaN擴充卡方案的輕中載待機功率僅有0.139-0.274W，重載情況也隻有0.435W
氮矽科技240W GaN擴充卡方案
氮矽科技240W GaN擴充卡方案，主要IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F080。
氮矽科技240W GaN擴充卡方案平均效率在整個負載階段都在93%以上，其中滿載效率最高達到了94.81%，處于業内領先水準。氮矽科技240W GaN擴充卡方案的輕中載待機功率僅有0.16-0.261W，重載情況也隻有0.441W，都能很好滿足能效方面的相關要求。
Innoscience 英諾賽科
英諾賽科60W氮化镓LED驅動電源方案
英諾賽科推出的60W LED驅動電源參考設計為單級高PF值反激設計，原邊回報，無需光耦，輸出電流檢測電阻以及恒流控制電路。恒壓控制在初級完成，電路精簡，簡化設計并提高轉換效率。
這款60W LED驅動電源内置英諾賽科INN700TK350B氮化镓開關管，其采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬态耐壓為800V，市電應用具有更多餘量。電源采用芯格諾XP3358高PF反激控制器，輸出采用二極管整流，并搭配電解電容濾波。
LED電源引入氮化镓後，低開關損耗的高轉換效率優勢，可以降低電源的散熱需求，縮小電源的體積，也降低電源的整體成本，節能低碳，對環境更加友好。
英諾賽科300W氮化镓擴充卡方案
與正常Si MOS的擴充卡對比，在相同的300W輸出功率下，采用
InnoGaN 的方案體積可減小30%，功率密度提高8W/in^3，優勢十分明顯。
英諾賽科 2KW PSU 钛金級方案
該方案完美符合 80 Plus 钛金級能效，峰值效率高達96.5%，目标應用包括資料中心電源、通信電源和 LED 照明裝置電源等能耗較大的系統，是降耗增效的關鍵。
英諾賽科 2KW PSU 方案采用圖騰柱無橋 PFC+LLC 結構，前端為 AC-DC 無橋圖騰柱 PFC，後端為 DC-DC 隔離全橋 LLC 轉換器。
英諾賽科2KW 12V PSU 方案不僅能夠為資料中心鍊路降耗增效，在通信電源、LED 照明等應用中同樣能夠展現小體積、高效率的優勢。
充電頭網總結
以上内容展示了各大功率器件企業最新推出的一系列創新參考設計。如果想了解更多資訊，可以去充電頭網官方網站或者關注充電頭網微信公衆号了解更多相關資訊，在其中讀者們可以獲得更加豐富和詳盡的資訊，包括設計的技術細節、應用場景以及市場影響等。
我們堅信，在新的一年裡，這些領先的企業将繼續緻力于研發更加先進、更加高效的産品。這不僅将推動技術的持續進步，而且還将為整個電子行業的發展注入新的活力。充電頭網也希望成為了解最新電子技術動态的橋梁，一起見證行業的創新與飛躍。