中國晶片龍頭長江存儲起訴美國公司專利侵權，雙方均予以最新回應

長江存儲消費級固态硬碟品牌緻态ZHITAI（圖檔來源：長江存儲官網）

近日有消息稱，中國存儲晶片龍頭長江存儲（YMTC）已于11月9日在美國法院起訴美光科技有限公司（下稱“美光”）及全資子公司美光消費産品集團有限責任公司，涉及專利起訴。長江存儲在起訴書中稱，美光侵犯其8項美國專利，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。

對此，11月13日下午，長江存儲科技有限責任公司向钛媒體App展示的一份聲明中回應稱：

“雖然我們無法讨論未決訴訟的細節，但我可以确認，長江存儲最近在美國加州北區地方法院提起訴訟，指控美光科技公司侵犯了我們公司與3D NAND技術的設計、制造和營運相關的專利。正如我們緻力于追求進步和産品創新一樣，我們堅定地緻力于保護我們的知識産權。我們相信這件事會很快得到解決。”

美光科技（Micron Technology）方面早前對钛媒體App回應表示：美光不對未決訴訟發表評論。

長江存儲起訴美光科技的訴訟書截圖（來源：美國加利福尼亞北區法院官網）

随着半導體産業的發展，存儲晶片作為關鍵元件之一，已經成為科技公司間競争的焦點。

據悉，長江存儲是中國最大的閃存晶片（3D NAND Flash）制造廠商，立于2016年，總部位于湖北武漢。根據其官網，長江存儲總投資額2200億元，專利申請數超8000項，投入逾6000位工程師。據去年9月的一份檔案引述高榕資本2021年的投資意向資訊顯示，長江存儲投前估值達1600億元。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲媒體，NAND Flash可制造SSD（固态硬碟）等存儲器，用于手機、伺服器、PC等産品。集邦咨詢資料顯示，2023年第二季度，全球NAND Flash廠商中，三星、铠俠、SK海力士、西部資料、美光的市占率分别為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商占比僅3.8%。

但在2021年，長江存儲在閃存晶片領域的全球市占率已達到4%，在國内僅次于三星、SK海力士和美光科技等競争對手。

2022年10月，美國商務部工業和安全局（BIS）釋出出口管制新規，限制美國企業對華出口晶片制造裝置等，其中包括生産18nm或以下的DRAM（動态随機存取存儲器）晶片、128層或以上的NAND閃存晶片，必須申請許可證并将受到嚴格審查。而且，BIS要求限制中國工廠進口用于生産先進制程晶片所需的技術和裝置。去年12月15日，美國商務部又将長江存儲、寒武紀等36家科技公司列入了“實體清單”。

美光科技成立于1978年，是全球領先的創新記憶體及存儲解決方案廠商。2007年3月，美光科技首次在中國西安成立工廠，主要生産DRAM和NAND存儲晶片。目前美光在中國的西安、上海、北京和深圳擁有營運中心。今年6月，美光宣布計劃在未來幾年中對其西安封測工廠投資逾43億元人民币。

長江存儲在此次起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競争，并獲得和保護市場佔有率。美光公司不支付公平專利費用，而是自由利用長江存儲的創新。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場來阻止競争和創新。

長江存儲指控美光侵犯了美國專利号為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權的産品包括96層、128層、176層和232層3D NAND産品。

長江存儲在以上起訴書中強調，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者，并稱美光受到了長江存儲上升的威脅。

2018年，長江存儲量産首代32層3D NAND Flash晶片，2019年量産64層256Gb TLC 3D NAND閃存，2020年跳過96層研發兩款128層閃存産品。長江存儲此前還推動擴産。集邦咨詢分析稱，2022年第三季度，受長江存儲擴大筆電Client SSD出貨等影響，價格戰日益激烈，原廠不得不拉大議價空間，吸引客戶提高訂單數量。

集邦咨詢方面近期對外表示，展望2024年，市場将需要關注存儲晶片減産以及庫存下降進而是否能持續轉移至買方，且産能增加、市況回溫是否可能導緻供需失衡，以及終端需求是否符合預期回溫，其中 AI 相關訂單的持續性将是重心。

美光亞太區業務拓展總監最近表示，到今年年底，存儲廠商的庫存水準将開始趨向正常化。2024年相信存儲市場将實作大幅同比增長。雲以及超大規模固态硬碟市場的年度增長将明顯超過企業市場，這種趨勢将持續到2027年。

（本文首發钛媒體App，作者｜林志佳）