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存儲市場分化:AI拉動記憶體需求複蘇 閃存廠商仍陷減産泥潭

作者:第一财經

存儲市場近日出現分化行情。NAND Flash(閃存)和DRAM(動态随機存取記憶體)作為最主要的存儲晶片,多類消費電子需求疲弱背景下,多家NAND Flash廠商仍在減産,另一邊,因AI伺服器需求增加,與AI場景高算力需求比對的HBM(高帶寬記憶體)晶片需求上升,助力DRAM整體需求複蘇。

8月11日,第一财經記者從深圳華強北多家電腦裝機商家了解到,NAND Flash主要産品之一固态硬碟價格持續下跌,目前已是年内低點。

反映至NAND Flash廠商業績,铠俠8月9日釋出的2023年Q1财報顯示,截至今年6月30日的最新季度裡,其收入2511億日元,同比減少31.6%,營業利潤虧損1308億日元,平均售價環比下降。

需求不振下,日媒近日報道稱铠俠在日本岩手縣北上市建立的廠房将推遲投入使用。今年7月末,三星和SK海力士則在财報會上釋放NAND産量繼續下調的信号。

另一邊,DRAM走出不同行情,AI浪潮催化下,DRAM行情好轉的迹象更明顯,随着HBM存儲成為行業熱點,三星、SK海力士均傳出擴産HBM産能的消息。

“DRAM行情比NAND Flash更早複蘇,原因包括DRAM前期減産更猛烈、DRAM在智能手機等終端應用中的需求相對剛性,AI場景對HBM的需求也有所增加。”Counterpoint研究副總監BradyWang告訴記者。

目前,HBM市場基本被SK海力士、美光和三星三家DRAM大廠瓜分,但國内相關産業鍊公司近期也受到資本關注。從市場谷底望向後市,這股AI風潮下,國記憶體儲相關廠商能受益幾何、行情複蘇何時到來?

閃存廠商減産

存儲器在消費電子市場的價格仍在低點。華強北多位電腦裝機商家稱,近期CPU、主機闆等電腦部件價格波動上漲,但固态硬碟價格較穩,目前已是年内低點。普通2.5寸1T固态硬碟售價低至300元左右,品質更高、讀寫速度更快的型号價格400~500元,普通2T固态硬碟售價在500元左右。

有商家稱,去年還售400、500百元的固态硬碟,如今跌至200多元。更久以前,固态硬碟價格約每1G銷售0.8元,現已大打折扣。

固态硬碟是以NAND Flash為媒體的一類主要存儲産品,應用于PC、筆記本電腦、資料中心等場景,此外,U盤、手機等移動裝置也多采用NAND Flash媒體存儲。消費電子市場和資料中心需求偏弱背景下,多類NandFlash産品降價,廠商近期仍在控制産能。

三星相關負責人已在7月底的電話财報會上稱,三星将減産部分DRAM和NAND産品,尤其是NAND産品。SK海力士稱,考慮到較高的行業庫存水準和NAND的盈利能力低于DRAM,将進一步削減NAND産量。铠俠在财報中稱,因閃存制造商生産調整,供需平衡狀況逐漸改善,客戶庫存改善及PC、智能手機記憶體增長有望修複閃存需求。但铠俠同時承認,因庫存調整和企業IT支出疲軟,2023年度資料中心和企業級固态硬碟需求将放緩,市場複蘇延遲下,铠俠将根據市場情況調整生産。

存儲市場分化:AI拉動記憶體需求複蘇 閃存廠商仍陷減産泥潭

據慢慢買比價平台,DRAM主要産品之一電腦記憶體條在主流電商平台上也處于價格低位。京東32GB筆記本記憶體熱賣榜中,一款金士頓記憶體自今年下半年起便售540元左右,相比年初降價約50元,一款三星記憶體年内波動降價,目前售574元。

但相比之下,DRAM需求及價格回暖速度仍快于NAND Flash。DRAM廠商南亞科技高管在7月的财報會議上稱,DRAM需求在2023年第二季度觸底,預計2023年下半年将出現輕微或溫和的需求反彈。集邦咨詢此前則預計,第三季度NAND Flash均價下跌約3~8%,DRAM均價跌幅将收斂至0~5%。此外,HBM近期需求火爆,逐漸催化DRAM行情回暖。

HBM成市場新寵

HBM是一種基于3D堆疊工藝的高效能DRAM,通過矽通孔(TSV)技術堆疊後可與GPU一起封裝,擁有更高帶寬和較低耗能。處理器高算力情況下,采用HBM可以避免因存儲器資料通路速度慢于處理器資料處理速度導緻的“記憶體牆”。

2023年以來,科技大廠接連布局AI大模型,掀起“百模大戰”。AI訓練多使用先進GPU(圖形處理器),HBM則是此類GPU存儲單元的理想解決方案。集邦咨詢分析稱,NVIDIA、AMD、Intel等高端AI晶片大多選擇搭載HBM。2023年至2024年AI建設爆發期,大量需求集中在AI訓練晶片上,推升HBM使用量。2023年,HBM即便在原廠擴大産能的情況下,仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規劃看,預計2024年HBM供給位元量将年增長105%。

HBM主要玩家是SK海力士、三星和美光。SK海力士HBM3産品目前領先,但三星和美光已在發力,市場競争趨于激烈。

今年7月底,美光宣布推出業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3記憶體。SK海力士和三星則釋放擴産HBM産能的消息。SK海力士高管在7月的财報電話會中稱,為了在有限的資本支出預算内確定高密度DDR5/HBM的生産能力,将努力提高生産率并減少在其他方面的投資。

據集邦咨詢資料,2022年SK海力士、三星和美光HBM市占率為50%、40%、10%,随着SK海力士和三星擴産及客戶加單,預計2024年SK海力士、三星市占率差距縮小,兩家共占約95%份額。

随着HBM成為市場焦點,部分國内産業鍊公司也受到市場關注。民生證券研報稱,HBM拉動上遊裝置及材料用量需求提升,相關産業鍊環節有望受益,國内産業鍊也在迅速跟進。不過,包括雅克科技、聯瑞新材、香農芯創在内的多家存儲晶片相關産業鍊公司在7月上旬股價拉升後,近日均有所回調。

BradyWang告訴記者,鑒于目前HBM廠商限于SK海力士、三星和美光,國記憶體儲廠商短期内參與HBM産業鍊的機會比較有限,此外,因目前HBM需求較急、利潤較高,廠商更需要穩定的供應商而不會優先考慮降成本,短期國内廠商新進入産業鍊的機會也有限,但未來存在機會。而放在整個AI浪潮中,材料、裝置等多類國内産業鍊廠商均有機會受益于AI伺服器需求增加。

例如,AI伺服器需求增長未來有可能整體拉動存儲器需求。美光此前曾表示,AI伺服器對DRAM和NAND Flash的容量需求是傳統伺服器的8倍和3倍。

BradyWang還表示,雖然AI伺服器市場增長快,但AI伺服器與傳統伺服器或PC的量級不同,HBM在DRAM市場中的體量有限。随着廠商建廠擴産,相關HBM産能放量應等到2025年。未來DRAM市場恢複增長還有賴于PC、手機等産品需求恢複。