IGBT

IGBT全稱為絕緣栅雙極型半導體(Insulated Gate Bipolar Transistor)，是以它是一個有MOS Gate的BJT半導體。奇怪吧，它到底是MOSFET還是BJT？其實都不是又都是。不繞圈子了，他就是MOSFET和BJT的組合體。

　　我在前面講MOSFET和BJT的時候提到過他們的優缺點，MOSFET主要是單一載流子(多子)導電，而BJT是兩種載流子導電，是以BJT的驅 動電流會比MOSFET大，但是MOSFET的控制級栅極是靠場效應反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗。是以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優點組合起來的，兼有MOSFET的栅極電壓控制半導體(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達到大電流(低導通壓降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。進而達到驅動功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應用于600V以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。