原子結構：
質子 中子 在外環繞的電子組成
（傳說中的同位素，就是質子相同，但是中子數不同。由于原子彈中使用的就是鈾的同位素，因為同位素的分離，不同以往的分離方法（萃取、精餾等），是以離心機等裝置就成為關鍵裝置，呵呵，有點扯遠了，繼續半導體）
電子的分布服從一定規律（詳細的參閱高中化學）
這裡隻列舉主要的
8電子是穩定結構，當最外層不滿足規律時。當小于4時，一般失去電子達到穩定結構，如果>=4個時候，得到電子達到穩定結構（Si失去電子達到穩定結構）。
共價鍵：共價鍵是一種特殊的穩定結構，失去電子的一方通過電子達到穩定結構，獲得電子的一方通過獲得電子達到穩定結構（感覺有點像廢話，其實就是廢話，就像“攻中帶防，防中帶攻”一樣，:-D）。e.g.：HCL
龜（矽）Si 屬于+4價
自然界中大部分以二氧化矽穩定結構存在（SiO2）
單質矽中，矽以共價鍵形式（晶體存）每個矽分别失去或者得到4個電子，形成穩定狀态。
好了，既然上面的大家沒有疑問，那麼開始了。
晶體矽從宏觀上是好看滴、是穩定滴，;-)，那麼微觀其實也是好看滴、也是穩定滴，這種穩定，是一種總體上穩定（可能這麼說有點糊塗，但是請帶着疑問向下看）。
這裡就要考慮到一些幹擾因素了，世界是現實滴，是以考慮問題就應當方方面面都要考慮到。所謂的幹擾因素就是溫度。在溫度的幹擾下，共價鍵（官方說法，是共價鍵受到室溫的影響，貌似是這麼說，有點既不清楚了）上的電子受到激發，脫離共價鍵，成為自由電子，脫離後，原位置上形成空穴（正電的說）。由于一個自由電子對應一個空穴，是以是成電中性滴。
摻雜了
我們向Si中摻入不同的元素，目的是認為的産生（自由電子和空穴）
總之我感覺共價鍵像是“我中有你，你中有我”，不知道這種比喻恰當嗎…
當我們摻入+3價元素的時候，3價元素失去價電子，得到穩定結構，但是矽Si是需要4個電子才能達到穩定結構，是以相鄰位置上的可愛的矽Si收到溫度的影響，躍遷能（激發能），提供自由電子，是3價元素（3價元素得到矽Si的四個電子成為穩定結構）和矽成為共價鍵的穩定結構。由于共價鍵是穩定的（電中性的），同時自由電子和空穴也是數量也是相等的（此處說的不嚴密，但是意思是這樣的），是以摻雜後，還是呈電中性。但是，由于得到自由電子，3價元素成為不能移動的負離子，載流子（導電的）存在在摻入3價元素的Si中是空穴。Postive
我們向矽Si摻入5價元素，5價元素獲得3個電子成為穩定結構。矽需要4個電子成為穩定結構。是以5價元素作出妥協，失去一個電子，用4個電子和矽Si成為共價鍵(矽Si得到4個電子達到最外層8個電子的穩定結構)。同志們，自由電子産生了。由于室溫收到激發的自由電子和空穴總數上是一樣的，又因為，5價元素失去電子成為不能移動的正離子，自由電子相對應。是以摻雜5價元素的矽Si總體上是呈電中性的。Negative
各位兄弟姐妹們，摻雜在實際生産中是一瞬間的事，是以，以上所說的，也是一瞬間發生的事情。說的目的，是掌握這種方法，有了自由電子和空穴（相當于正電子）在有能量的差異，那麼我們可愛的電流就要産生了。
今天到此為止，this is end。