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EFR32配有可配置的内部電容器組,用作外部晶體的負載電容,通過調整寄存器CTune的設定值,可以選擇合适的負載電容,實

作者:物聯網全棧開發

EFR32配有可配置的内部電容器組,用作外部晶體的負載電容,通過調整寄存器CTune的設定值,可以選擇合适的負載電容,實作外部晶振頻率的校準。

下面的等式給出了電容的編置值和實際值之間的關系:

CTune  =  Cpar  + CTune <8:0> * 80fF。

其中Cpar表示寄生電容,這取決于電路闆類型,布局,溫度和晶體類型。内部電容大小與頻率成反比,是以較高的電容值會導緻HFXO頻率降低。

當HFXO_XTALCTRL寄存器的CTUNEXOANA以及CTUNEXIANA設定為預設值0x8C時,

用頻譜儀測得外部38.4MHz的晶振頻率為38.398261MHz,偏差為:

(38.398261-38.4)/38.4*1e6=-45ppm;

當數值調整到20時,

用頻譜儀測得外部38.4MHz的晶振頻率為38.402609MHz,偏差為:

(38.402609-38.4)/38.4*1e6=70ppm;

當數值調整到60時,

用頻譜儀測得外部38.4MHz的晶振頻率為38.40000MHz,偏差為0ppm;

EFR32配有可配置的内部電容器組,用作外部晶體的負載電容,通過調整寄存器CTune的設定值,可以選擇合适的負載電容,實
EFR32配有可配置的内部電容器組,用作外部晶體的負載電容,通過調整寄存器CTune的設定值,可以選擇合适的負載電容,實
EFR32配有可配置的内部電容器組,用作外部晶體的負載電容,通過調整寄存器CTune的設定值,可以選擇合适的負載電容,實

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