目錄
1、前言
2、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH分區及大小
1、STM32F1系列
2、STM32F4系列
3、STM32L1系列
3、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH程式設計時間
1、STM32F1系列
2、STM32F4系列
3、STM32L1系列
1、前言
單片機内部的FLASH除了存儲固件以外，經常将其分成多個區域，用來存儲一些參數或存儲OTA更新的待更新的固件，這時就會涉及到單片機内部FLASH的程式設計和擦除操作，STM32不同系列的單片機内部FLASH特性和扇區大小都不太一樣，如果不注意這些細節，那就等着爬坑吧
1、FLASH的分區以及扇區大小
FLASH擦除是按照扇區擦的，是以這個很重要，在工程中全局搜尋 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以檢視該晶片的頁（扇區）大小，改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定義
2、FLASH擦拭後的狀态
F1和F4系列的晶片FLASH在擦除後會是0xFFFFFFFF，而L1系列的晶片FLASH在擦除後是0x00000000!!!!!
3、FLASH的程式設計速度
L1晶片内部FLASH程式設計速度比F1慢50倍！！！是以在使用L1晶片寫入資料時相對于F1慢是正常的
2、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH分區及大小
1、STM32F1系列
對于F1系列的晶片大容量産品的FLASH主存儲器每頁大小為2K，如【下圖】，而中容量和小容量的産品每頁大小隻有1K
2、STM32F4系列
分為2個Bank，每個Bank分為12個扇區，前4個扇區為16KB大小，第五個扇區是64KB大小，剩下的7個扇區都是128K大小
3、STM32L1系列
3、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH程式設計時間
資訊參考對應晶片的資料手冊的 Electrical characteristics 章節
1、STM32F1系列
可以看出F1系列内部FLASH頁擦除時間最大為40ms，半字寫入的時間為52.2us，比如按字寫入1024位元組資料，需要26.8ms，還是比較快的
2、STM32F4系列
可以看出F4系列内部不同扇區擦除時間也不一樣的，字寫入的時間為16us，比如按字寫入1024位元組資料，隻需要4ms，非常快
3、STM32L1系列
可以看出L1系列内部FLASH頁擦除和程式設計的時間都是3.28ms，比如按字寫入1024位元組資料，需要840ms，非常慢；但是擦除是
比較快的