GC對比分析
在圖上可以看出G1GC 和串行GC的吞吐量是比較高，幾乎完勝并行GC，預測可能是因為這個項目簡單，并不怎麼需要GC，是以小步多走比不上大步少走。
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC G1GC
堆記憶體1g
堆記憶體1g 的時候吞吐量提升了7W 35W->42W，每秒的并發量從5.8k->6.9k并發能力提升
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 堆記憶體2g
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 堆記憶體3g
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 堆記憶體4g
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC ParallelGC
1G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 2G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 3G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 4G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC SerialGC
1G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 2G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 3G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 4G
對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 對不同GC配置設定不同的記憶體，進行壓測GC對比分析G1GCParallelGCSerialGC 
