STM32F767的FMC将外部存儲器劃分為6個固定大小的256M的存儲區域，如下圖
STM32F767的FMC 存儲塊 1（Bank1 ）被分為 4個區，每個區管理64M 位元組空間，每個 區都有獨立的寄存器對所連接配接儲進行配置。Bank1 的 256M 位元組空間由 28 根位址線 根位址線（HADDR[27:0] ）尋址。 這裡 HADDR[27:0]是内部AHB位址總線，其中位址總線HADDR[25:0]來自外部存儲器位址FMC_A[25:0](FMC_A[25:0]會接到外部存儲器的位址線上，也就是HADDR内部總線的[25：0]來自外部存儲器位址線)， 而 HADDR[26:27] 對4個區進行尋址。如表 18.1.2.1所示：
比如外部存儲器接到FMC_NE1上面，那麼外部存儲器的位址為HADDR[26:27] +FMC_A[25:0]=0x60000000+FMC_A[25:0]。
HADDR[25:0] 位包含外部存儲器位址，由于 HADDR 為位元組位址，而存儲器按字尋址，是以根據存儲器資料寬度不同，實際向存儲器發送的位址也将有所不同，如下表所示。
因為一個位址對應1個位元組資料，是以64M位元組的位址量，就能表示64x8=512Mb的資料，也就是外部存儲器最大容量為512Mb。
當接的是8位寬度存儲器的時候，也就是一個位址正好可以操作一個位元組（8位）的資料，需要26根位址線：那麼 HADDR[25:0] = FMC _A [25:0] ，就可以了。
當接的是16位寬度存儲器的時候，那麼一個位址就可以操作一個字（16位）的資料那麼就不需要26根位址線了，HADDR[0]就沒有用到，是以： HADDR[25:1] = FMC _A[24:0] 。
例如TFTLCD屏(16位寬存儲器)的RS腳接到FMC_A18上面，使用FMC_NE1(就是使用BANK1的子bank1),
外部存儲器位址線尋址到A18為0時也即是FMC_A[24：0]=0x3FFFF，左移一位付給内部總線HADDR[25:1]=00 0000 0111 1111 1111 1111 1110=0x7fffe，是以内部總線讀寫外部存儲器指令（REG）的位址（尋址）就變為0x60000000+0X7FFFE（FMC_A18即RS為0時）;
部存儲器位址線尋址到A18為1時也即是FMC_A[24：0]=0x40000，左移一位付給内部總線HADDR[25:1]=00 0000 1000 0000 0000 0000 0000 =0x8000，内部總線讀寫外部存儲器資料（RAM）的位址變為0x60000000+0X80000（FMC_A18即RS為1時）。
32位寬的存儲器也是如此。
無論外部接8位/16位/32位寬裝置，FMC_A[0]永遠接在外部裝置位址A[0],HADDR[27:26]的設定，是不需要我們幹預的，比如當你使用Bank1的第一個區，即使用FMC_NE1連接配接外部裝置的時候，即對應了HADDR[27:26]=00,然後我們需要配置第一區的寄存器組，就可以使用了。