前段時間，三星公布了自家的3納米制程工藝已經達到了可以批量生産的标準，但因為三星工藝在骁龍888和骁龍8Gen1兩款晶片上的表現并不盡如人意，是以仍有不少相關機構并不看好三星的工藝。是以，據之前按相關媒體報道稱，三星已經與Silicon Frontline Technology公司合作，以提高其半導體晶片在生産過程中的良率，以便于在3納米工藝上趕超其他廠商。
報道中稱，三星電子先進制程良率非常低，自5納米制程開始一直存在良率問題，在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。據傳三星3 納米解決方案制程自量産以來，良率不超過20%，量産進度陷入瓶頸。三星目前在4納米和5納米工藝節點上出現了與産量有關的問題，該公司不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。是以希望通過和 Silicon Frontline Technology公司合作，幫助三星晶圓廠進行前端工藝和晶片性能改進。
而據之前的報道，3納米工藝的改進目前仍在進行中，4納米的工藝提升卻初見成效。據鳳凰網科技報道稱，三星4納米晶片制程良率已改善、接近5納米的水準，下一代4納米制程将提供更高的良率。
據悉，三星電子去年推出了4納米晶片技術，但由于良率不高，導緻部分客戶轉投台積電，包括之前使用三星4納米工藝推出兩款晶片的高通公司，并且三星電子也不得不在其Galaxy S22手機中使用骁龍 8 Gen1晶片，而不是自家的Exynos 2200晶片。
然而今年以來，通過多方改進，三星電子在4納米工藝方面取得了一定的進步，良率和産能都有所提升。随着4nm的改進，今日消息，根據三星代工今天在年度三星代工論壇上公布的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。與此同時，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。
三星的SF2工藝是在今年早些時候推出的第三代3納米級（SF3）工藝的基礎上進一步優化的。與SF3相比，SF2工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高12%的性能，在相同的性能和複雜度下減少5%的面積。為了讓SF2工藝更具競争力，三星還将為該工藝提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
繼SF2之後，三星将在2026年推出針對高性能計算（HPC）優化的 SF2P，以及于2027年推出針對汽車應用優化的SF2A工藝。同樣在2027年，該公司還計劃開始使用SF1.4（1.4納米級）制造技術進行量産。三星的2納米級工藝将與台積電的N2（2納米級）工藝大緻同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。目前關注度的較高的晶片制造廠商均在近期公布了自己旗下制程工藝的發展時間，感興趣的小夥伴可以保持關注。