去耦電容 耦合電容 旁路電容

去耦電容 耦合電容 旁路電容

藕合電容的作用是将前級的交流信号輸送到下一級!藕合電容的位置是跨接在前級的輸出和後級的輸入兩端!      

旁路電容是把輸入信号中的幹擾作為濾除對象，而去耦電容是把輸出信号的幹擾作為濾除對象，防止幹擾信号傳回電源。這應該是他們的本質差別。去耦電容相當于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當于濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大，對更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。隻是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗洩防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來确定。      

旁路電容（bypass）是把輸入信号中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除。      

旁路電容一般是接在信号端對地的，有抗幹擾或降低噪聲作用； 旁路：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是通過産生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能（帶寬受限）。  旁路電容的主要功能是産生一個交流分路，進而消去進入易感區的那些不需要的能量。旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源子產品的瞬态電流需求。 通常鋁電解電容和钽電 容比較适合作旁路電容，其電容值取決于PCB闆上的瞬态電流需求，一般在10至470µF範圍内。      

去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把輸出信号的幹擾作為濾除對象。去耦電容在內建電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本內建電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲(c對高頻阻力小，将之瀉至GND)。

數字電路中，當電路從一個狀态轉換為另一種狀态時，就會在電源線上産生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。對于噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在晶片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。

數字電路中典型的去耦電容值是0.1µF。這個電容的分布電感的典型值是5µH。 0.1µF的去耦電容有5µH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以 下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。 1µF、10µF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。 每10片左右內建電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10µF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用 钽電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1µF，100MHz取0.01µ。