FLASH工作流程
寫資料流程：Flash解鎖——擦除扇區——寫資料到指定空間——上鎖寫保護；
讀資料流程：從指定位址讀出指定長度資料。
源檔案flash.c寫法
STMFLASH_GetFlashSector函數用于判斷寫入的起始位址在哪個扇區，傳回所在扇區，之後對該扇區進行擦除等操作。
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
return *(__IO uint32_t*)faddr;
}
uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;
return FLASH_SECTOR_11;
}
寫入函數需要用的是HAL庫，解鎖之前首先定義結構體，并判斷寫入位址是否合法。之後進行解鎖，擦除掉對應的扇區并進行寫入，擦除是一次擦除一個扇區，寫入是一個數一個數寫入，最後進行上鎖。
讀出函數的起始位址要和之前寫入的位址一緻，之後存入定義的數組中。
上面兩個函數的輸入分别為起始位址，要讀寫的數組以及數組内數的個數。
void STMFLASH_Write(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t Num)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
uint32_t SectorError=0;
uint32_t addrx=0;
uint32_t endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法位址
HAL_FLASH_Unlock(); //解鎖
addrx=WriteAddr; //寫入的起始位址
endaddr=WriteAddr+Num*4; //寫入的結束位址
if(addrx<0X080C1000)
{
while(addrx<endaddr)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF) {
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除類型，扇區擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇區
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次隻擦除一個扇區
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //電壓範圍，VCC=2.7~3.6V之間!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//發生錯誤了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//寫資料
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//寫入資料
{
break; //寫入異常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上鎖
}
void STMFLASH_Read(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t size)
{
uint32_t i;
for(i=0;i<size;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//讀取4個位元組.
ReadAddr+=4;//偏移4個位元組.
}
}
頭檔案flash.h
這裡的11個扇區分别對應這STM32F407的主寄存器的扇區。
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始位址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待逾時時間
//FLASH 扇區的起始位址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) //扇區0起始位址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) //扇區1起始位址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) //扇區2起始位址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) //扇區3起始位址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) //扇區4起始位址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) //扇區5起始位址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //扇區6起始位址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) //扇區7起始位址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) //扇區8起始位址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) //扇區9起始位址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) //扇區10起始位址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) //扇區11起始位址,128 Kbytes
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr); //讀出字
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite); //從指定位址開始寫入指定長度的資料
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead); //從指定位址開始讀出指定長度的資料
main函數應該添加的
在斷電的時候将你要儲存的6個數寫入到該位址，注意這個位址是要在你上方定義的那11個位址的範圍内，如果超出，擦除的扇區就檢測不對，無法正常寫入。再就是該位址需要是空閑的位址，不能影響程式的正常工作。（要存的這6個數是8位的，被強制轉為32位寫入）
if（掉電）
{
uint8_t TEXT[6];
TEXT[0] = Set_A;;
TEXT[1] = Set_B;
TEXT[2] = Set_C;
TEXT[3] = Set_E;
TEXT[4] = Set_F;
TEXT[5] = Set_G;
STMFLASH_Write(0x800C0000,(uint32_t*)TEXT,6);
}
讀出的位址注意要與寫入位址相同，再一個就是我們讀出的這六個數都是32位的，而我們需要的數是8位的，是以這裡加上uint8_t強制轉為32位的，這樣就可以正常工作，實作掉電儲存。
if（上電）
{
uint8_t INXT[6];
STMFLASH_Read(0x800C0000,(uint32_t*)INXT,6);
uint8_t Set_A = INXT[0];
uint8_t Set_B = INXT[1];
uint8_t Set_C = INXT[2];
uint8_t Set_E = INXT[3];
uint8_t Set_F = INXT[4];
uint8_t Set_G = INXT[5];
}
新手小結
本人這是第一次寫部落格，寫這篇主要是因為自己用HAL庫寫掉點儲存的時候在網上總是查不到比較全的方法，自己東拼西湊最後也實作了這個功能，可能裡面也有許多寫的很粗糙的地方，希望各位大大批評指正，也希望我這篇文章能幫到跟我一樣用HAL庫寫掉電儲存很難受的問題，O(∩_∩)O~。
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