SRAM與SDRAM的比較

  記憶體在電腦中起着舉足輕重的作用，一般采用半導體存儲單元，包括随機存儲器（RAM），隻讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。

按記憶體條的接口形式，常見記憶體條有兩種：單列直插記憶體條（SIMM），和雙列直插記憶體條（DIMM）。SIMM記憶體條分為30線，72線兩種。DIMM記憶體條與SIMM記憶體條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按記憶體的工作方式，記憶體又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動态RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式随機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的記憶體，它每個三個時鐘脈沖周期傳送一次資料。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴充資料輸出随機存取存儲器：EDO記憶體取消了主機闆與記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈沖周期輸出一次資料，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO記憶體已經被SDRAM所取代。

SDRAM 同步動态随機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM将CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞資料，速度比EDO記憶體提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代産品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸資料，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM）存儲器總線式動态随機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，晶片到晶片接口設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍内通過一個簡單的總線傳輸資料。他同時使用低電壓信号，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸資料。   RAM   Random-Access Memory(随機存取存儲器)，在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程式和資料的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器[或者記憶體儲器和外存儲器]，主存儲器簡稱記憶體，記憶體在電腦中起着舉足輕重的作用，一般采用半導體存儲單元。

因為RAM是記憶體其中最重要的存儲器，是以通常我們直接稱之為記憶體。

記憶體就是存儲程式以及資料的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字元時，它就被存入記憶體中，當你選擇存盤時，記憶體中的資料才會被存入硬（磁）盤。

RAM就是既可以從中讀取資料，也可以寫入資料。當機器電源關閉時，存于其中的資料就會丢失。我們通常購買或更新的記憶體條就是用作電腦的記憶體，記憶體條（SIMM）就是将RAM內建塊集中在一起的一小塊電路闆，它插在計算機中的記憶體插槽上，以減少RAM內建塊占用的空間。目前市場上常見的記憶體條有 128M／條、256M／條、512M／條等。 RAM可分為：SRAM和SDRAM   SDRAM   SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動态随機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，内部的指令的發送與資料的傳輸都以它為基準；動态是指存儲陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丢失；随機是指資料不是線性依次存儲，而是由指定位址進行資料讀寫。目前的168線64bit帶寬記憶體基本上都采用SDRAM晶片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO記憶體最快為15ns。并将RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間,是以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

SDRAM從發展到現在已經經曆了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信号,第三代與第四代由于工作頻率比較快，是以采用可降低幹擾的差分時鐘信号作為同步時鐘。

SDR SDRAM的時鐘頻率就是資料存儲的頻率，第一代記憶體用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信号為100或133MHz，資料讀寫速率也為100或133MHz。

之後的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）記憶體則采用資料讀寫速率作為命名标準，并且在前面加上表示其DDR代數的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人将SDRAM錯誤的了解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導,SDR不等于SDRAM。

Pin:模組或晶片與外部電路電路連接配接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。

SIMM：Sigle In-line Memory Module,單列記憶體模組。記憶體模組就是我們常說的記憶體條，所謂單列是指模組電路闆與主機闆插槽的接口隻有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。

DIMM：Double In-line Memory Module，雙列記憶體模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路闆與主機闆插槽的接口有兩列引腳，模組電路闆兩側的金手指對應一列引腳。

RDIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線記憶體子產品

SO-DIMM:筆記本常用的記憶體模組。

工作電壓：

SDR：3.3V

DDR：2.5V

DDR2：1.8V

DDR3：1.5V   SRAM   SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它内部存儲的資料。不像DRAM記憶體那樣需要重新整理電路，每隔一段時間，固定要對DRAM重新整理充電一次，否則内部的資料即會消失，是以SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的內建度較低，相同容量的DRAM記憶體可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，是以在主機闆上SRAM存儲器要占用一部分面積，在主機闆上哪些是SRAM呢？

一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一是固定在主機闆上的高速緩存（Cache  Memory ）；二是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶片1468l8的電路裡，它的内部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設定的配置資料。   還有一種是為了加速CPU内部資料的傳送，自80486CPU起，在CPU的内部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的内部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU核心之外的黑盒子裡。 SRAM顯然速度快，不需要重新整理的動作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，是以在主機闆上還不能作為用量較大的主存。現将它的特點歸納如下：

◎優點，速度快，不必配合記憶體重新整理電路，可提高整體的工作效率。

◎缺點，內建度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以提高效率。

◎SRAM使用的系統：

○CPU與主存之間的高速緩存

○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速緩存

○CPU外部擴充用的COAST高速緩存

○CMOS 146818晶片（RT＆CMOS SRAM）   SRAM與SDRAM的比較：

SRAM是靠雙穩态觸發器來記憶資訊的；SDRAM是靠MOS電路中的栅極電容來記憶資訊的。由于電容上的電荷會洩漏，需要定時給與補充，是以動态RAM需要設定重新整理電路。但動态RAM比靜态RAM內建度高、功耗低，進而成本也低，适于作大容量存儲器。是以主記憶體通常采用SDRAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，記憶體還應用于顯示卡、聲霸卡及CMOS等裝置中，用于充當裝置緩存或儲存固定的程式及資料。