也稱半導體，在中文含義裡面隻是對三個引腳的放大器件的統稱
電子三極管 Triode 這個是英漢字典裡面“三極管”這個詞彙的唯一英文翻譯
電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）
雙極型半導體 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應管 JuncTIon gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導體場效應半導體 MOS FET （ Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor）英文全稱
V型槽場效應管 VMOS （VerTIcal Metal Oxide Semiconductor ）
三極管中2TY和J3Y是什麼意思
2TY 是8550 PNP SOT23
J3Y是8050 NPN SOT23
這不是高頻管，一般用在小功率的電源電路，如小電流電源開關管，充電電路開關管等，分别測BE極和BC極的二極管導通電壓為0.6V左右是好的，
高頻放大用9018 NPN SOT23
三極管命名方式
中國
中國半導體器件型号由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、雷射器件的型号命名隻有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管
3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：
A-N型鍺材料
B-P型鍺材料
C-N型矽材料
D-P型矽材料
表示三極管時：
A-PNP型鍺材料、
B-NPN型鍺材料、
C-PNP型矽材料、
D-NPN型矽材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、
V-微波管
W-穩壓管
C-參量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光電器件
K-開關管
X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）
G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）
D -低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）
A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）
T-半導體晶閘管（可控整流器）
Y-體效應器件
B-雪崩管
J-階躍恢複管
CS-場效應管
BT-半導體特殊器件
FH-複合管
PIN-PIN型管
JG-雷射器件。
第四部分：用數字表示序号第五部分：用漢語拼音字母表示規格号例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極管
國際三極管型号命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型号命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符号及意義如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如矽
C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化镓
D-器件使用材料的Eg《0.6eV如銻化铟
E-器件使用複合材料及光電池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管
B-變容二極管
C-低頻小功率三極管
D-低頻大功率三極管
E-隧道二極管
F-高頻小功率三極管
G-複合器件及其他器件
H-磁敏二極管
K-開放磁路中的霍爾元件
L-高頻大功率三極管
M-封閉磁路中的霍爾元件
P-光敏器件
Q-發光器件
R-小功率晶閘管
S-小功率開關管
T-大功率晶閘管
U-大功率開關管
X-倍增二極管
Y-整流二極管
Z-穩壓二極管
3.第三部分：用數字或字母加數字表示登記号。三位數字-代表通用半導體器件的登記序号、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序号。
4.第四部分：用字母對同一類型号器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一參數進行分檔的标志。
除四個基本部分外，有時還加字尾，以差別特性或進一步分類。常見字尾如下：
1、穩壓二極管型号的字尾。其字尾的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差範圍，字母A、B、C、D、E分别表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其字尾第二部分是數字，表示标稱穩定電壓的整數數值；字尾的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之後的數字為穩壓管标稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極管字尾是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，機關是伏特。
3、晶閘管型号的字尾也是數字，通常标出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN矽低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
三極管管腳的區分方法
從本質上分辨，可以通過分辨發射區，基區，集電區，分辨發射極e，基極b，和集電極c。因為這三個電極都是三極管中各區導線牽出去的。
發射區和集電區均為N型半導體，不同的是，發射區比集電區摻入的雜質多，在幾何尺寸上，集電區的面積要遠比發射區的大。而基區在發射區和集電區之間。