SLC同MLC的差別

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SLC同MLC的差別

我們知道，X25-E同X25-M的最大差別就是前者采用速度更快、資料遺失率更低的SLC封裝，那麼究竟SLC同MLC的具體差別在哪裡呢？接下來我們為讀者做一個簡單的說明。

SLC全稱單層式儲存 (Single Level Cell），是指一個Block（塊，Flash的基本存儲單元，也可稱為Cell）隻有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為隻需要一組高低電壓就可以區分出0或者1信号，是以SLC最大的驅動電壓可以做到很低。

SLC因為結構簡單，在寫入資料時電壓變化的區間小，是以壽命較長，傳統的SLC Flash可以經受10萬次的讀寫，是以出現壞Block的幾率較小，因為存儲結構非常簡單，一組電壓即可驅動，是以其速度表現更好。不過這種一個 Block隻存儲一組資料的模式無法在相同的晶圓面積上實作較高的存儲密度，是以隻能在工藝制程方面努力進步，才能滿足使用者在容量方面的要求。

SLC與MLC在結構上的差別

MLC（多層式儲存—Multi Leveled Cell）是那種充分利用Block的技術，它采用較高的電壓驅動，通過不同級别的電壓在一個Block中記錄兩組位資訊（00、01、11、10），這樣就可以将原本SLC的記錄密度理論提升一倍，這對于曾經工藝制程遇到瓶頸的NAND Flash而言，是非常好的消息。不過MLC除了同制程、同晶圓面積時理論大一倍的記錄空間外，存在一些先天的弊端，比如說電壓區間更小，Flash就需要更多的CRC校驗空間，這會大概占據Block中10%的空間，是以實際使用中同制程同晶圓面積的MLC的容量不到SLC的一倍。

因為電壓變化更頻繁，是以MLC技術的Flash在壽命方面相較SLC要差一些，官方給出的可擦寫次數僅為1萬次，也就是說一張512MB的USB 閃存盤，你寫入512MB的資料1萬次（理論數值），它就報廢了。這是MLC技術最緻命的缺點。另外MLC技術還有一個缺點，就是它的讀寫速度不如 SLC。一個Block存儲兩組位資料，自然需要更長的時間，這裡面還有電壓控制、CRC寫入方式等因素需要考慮。

綜合而言，MLC技術在實作大容量方面有優勢，但是壽命和性能都隻能算是差強人意。SLC技術雖然在壽命和性能方面足以令人滿意，但是較高的技術門檻以及實作大容量所需的成本較高成為了限制其發展的重要因素。但就防震、發熱量以及運作噪音方面，MCL同SLC相比沒有任何差別，面對傳統機械硬碟時都絕對具有“秒殺”性的優勢。