存儲器的一些基礎知識整理

　　RAM

　　

　　Random-Access-Memory,随機存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜态随機存儲器和動态随機存儲器，了解上靜動态主要展現是否需要重新整理，通常DRAM需要重新整理，否則資料将丢失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常将SRAM作為cache使用。

　　

　　PSRAM

　　

　　Pseudo static random access memory，僞SRAM僞随機存儲器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自重新整理功能，不需要外部重新整理。而其成本介于SRAM與DRAM之間。

　　

　　單\雙端口RAM

　　

　　單端口RAM同一時刻，隻能滿足讀或寫某一動作，而雙端口RAM存在兩套獨立的位址、資料、讀寫控制等，可以同時進行兩個操作，當然為避免沖突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。僞雙口RAM是隻有兩通路接口，單一個端口隻讀，另一個端口隻能寫。

　　

　　ROM

　　

　　Read-Only-Memory,隻讀存儲器，通常使用時一次寫好，使用時隻能進行讀操作，而不能進行寫操作。

　　

　　CACHE

　　

　　高速緩沖存儲器，由于存儲器DDR/DRAM等相對于處理器通路速度較慢，增加的一級緩沖存儲空間，當需要處理器需要通路記憶體某一塊區域時，先緩存cache中，處理器通路cache速度較快;但同時也需要增加處理DDR和CACHE中資料同步、替換等問題。

　　

　　TCM

　　

　　Tightly-Coupled-Memory 緊密耦合(連結)的存儲器，是指和處理器連結緊密,基本可以看做和CACHE同一等級連接配接的存儲空間(印象中ARM結構上和L2 CACHE同一層次)，其存儲空間的内容不會像CACHE處理一樣經常替換。

　　

　　EEPROM

　　

　　Electrically Erasable Programmable read only memory電可擦可程式設計隻讀存儲器，掉電非易失的存儲晶片，在特殊高電壓模式下可以插寫，普通模式下隻讀ROM。

　　

　　FLASH

　　

　　閃存，和EEPROM一樣可擦除可重寫，差别EEPROM總是按位元組操作，FLASH可以按照位元組塊擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照位元組讀取，而NandFlash隻能按塊讀取，兩者同樣可以按照位元組塊擦除。Nor-Flash需要支援随機讀取的位址、資料線，成本比Nand-Flash高，而其可擦寫次數低于NAND FLASH,一般嵌入系統中剛boot需要初始化的代碼需要放置在Nor-Flash中。

　　

　　對于FLASH的讀取總線可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同樣Flash可以和處理器內建在一起或是通過總線外部通路。

　　

　　eMMC

　　

　　embedded multi media card，內建了NAND FLASH和控制部分的內建電路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一樣的使用接口。

　　

　　硬碟

　　

　　傳統硬碟采用磁材料作為存儲媒體，固态硬碟使用FLASH，通路速度性能較好。

　　

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