http://m.elecfans.com/article/560407.html
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固态大容量記憶體的實作提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，适用于大量資料的存儲，如嵌入式産品中包括數位相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。
1989年，東芝公司發表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松更新。經過十幾年的發展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。隻有真正了解NAND特性的工程師，才能在應用上得心應手，不會被Nand Flash所絆倒。
分區
定義分區的實質是定義資料會如何寫入NAND Flash，不同内容的資料寫到對應的位址中。一般使用者會有多個區，比如boot、kernel、fs、user等分區。
分區的描述：分區的位址範圍（起始塊、結束塊），鏡像檔案大小（Image Size）。
分區的資料存儲：鏡像檔案是從分區的起始塊開始存放，如果分區中有壞塊，将使用壞塊處理政策替換壞塊，直到鏡像檔案結束，如果分區中不夠好塊存放鏡像檔案，則燒錄失敗。
如下圖是跳過壞塊的鏡像檔案分區燒寫示意圖：
ECC（錯誤更正）算法
ECC 存在于NAND 每頁的備用區（Spare Area）中，它允許外部系統發現主區的資料是否有誤。在大多數情況下，ECC 算法可以糾正誤碼，NandFlash在使用中也可能會出現壞塊，是以ECC是非常有必要的。
不同的使用者會可能會使用不同的ECC算法，一般來說ECC算法由處理器供應商提供，如果程式設計器軟體中無這個ECC算法，則需要使用者提供ECC算法源代碼。
如果使用者不使用調入檔案，而是使用讀母片的方式燒錄，并且無動态資料，則可以不考慮ECC算法，因為母片中的備用區已計算好ECC，直接将母片的備用區拷貝至其他晶片即可。
壞塊管理
壞塊處理政策定義了在遇到壞塊時算法應該如何處理，基本的壞塊處理政策有：跳過壞塊、替換表（預留塊區Reserve BlockArea，RBA）等等，下面分别對幾種壞塊處理方案進行說明。
1、硬拷貝
硬拷貝其實就是遇到壞塊什麼都不處理，不管好塊還是壞塊直接燒寫按順序燒寫資料，即使校驗資料不一緻也不報錯，這是最簡單、直接的處理方法，但是隻能适用于資料不需管理的方案；
2、跳過壞塊
跳過壞塊就是燒錄資料時，遇到壞塊即跳過此壞塊，将資料順延燒到下一個好塊，這樣可以保證所有的資料都能燒寫到NAND存儲空間中，但是并不知道資料究竟燒到了哪一位；
3、替換表
此方法是将NAND存儲空間中預留出一些塊作為保留塊，當遇到壞塊時，在預留的保留塊中選一個塊來替換壞塊，将原來寫到壞塊的資料寫到替換塊中；
4、BBT（Bad block table）
此方法核心是跳過壞塊，但是跳過後需要在NAND閃存指定位置寫入一個壞塊表（Bad block table），下圖是BBT的結構圖。
NAND應用需要注意的點大緻整理如上，實際使用中會有靈活的應用方案，需要熟知NAND特性、程式設計器原理的工程師才能設計出合适的方案加以運用。P800Flash極速程式設計器融合了ZLG緻遠電子三代Flash程式設計器的特點，全面支援eMMC、NOR、NAND Flash的燒錄，可提供完善的程式設計解決方案。