Flash初識學習記錄

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方法如下

1. TSOP：封裝技術，為目前最廣泛使用于NAND Flash的封裝技術，首先先在晶片的周圍做出引腳，采用SMT技術(表面安裝技術)直接附着在PCB闆的表面。TSOP封裝時，寄生參數減小，

   優點：因而适合高頻的相關應用，操作友善，可靠性與成品率高，同時具有價格便宜等優點，是以于目前得到了極為廣泛的應用。

   

   2.FBGA：植球式晶片，主要應用于計算機的記憶體、主機闆晶片組等大規模內建電路的封裝領域。

   

   優點：FBGA 封裝技術的特點在于雖然導線數增多，但導線間距并不小，因而提升了組裝良率，雖然功率增加，但FBGA能夠大幅改善電熱性能，使重量減少，信号傳輸順利，提升了可靠性。

   3.LGA：觸點陳列封裝。

   

對比

FBGA ：可以使所有計算機中的記憶體在體積不變的情況下容量提升數倍，具有更小的體積與更好的散熱性能

工藝分類

1.單層SLC

2.多層MLC

3.多層TLC

隧道效應

1957 年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高頻 半導體 2T7 的過程中發現，當增加 PN

結兩端的電壓時電流反而減少，江崎玲於 奈将這種反常的負電阻現象解釋為隧道效應。此後，江崎利用這一效應制成了隧 道二極管（也稱江崎二極管）。

NandFlash

NAND Flash的存儲原理是，在寫入(Program)的時候利用F-N隧道效應(Tunnel Injection隧道注入)的方法使浮栅充電，即注入電荷；在擦除(Erase)的時候也是是利用F-N隧道效應(Tunnel Release隧道釋放)将浮栅上的電荷釋放。

nandflash硬體

如何識的硬體時序圖

上時序圖

時序圖 橫軸是時間，時序圖怎麼看呢 ，從左往右看。縱向方向就是一列一列 來看。

然後可以看到發出指令 90,怎麼知道的 ，在資料線上發出90這個值，怎麼知道它是指令的，就是CLE是高電平。然後給它一個寫脈沖。這個寫信号的上升沿nandflash就會把資料存進來，它就知道了我是一個指令。

CLE：表示指令鎖啟用CLE輸入，控制發送到指令寄的指令的激活路徑。
           

ALE：位址被鎖定在上升沿。
           

然後接着發出一個0位址，然後就可以讀資料了