按照資料存取的方式不同，ram中的存儲單元分為兩種:靜态存儲單元一靜态RAM(SRAM);動态存儲單元—動态RAM(DRAM)。
1.靜态存儲單元(SRAM):它由電源來維持資訊，如觸發器，寄存器等。
靜态存儲單元(SRAM)的典型結構:
T5、T6、T7、T8都是門控管，隻要栅極高電平，這些管子就工作在可變電阻區當作開關。
其中存儲單元通過T5、T6和資料線(位線)相連;資料線又通過T7、T8和再經輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接配接，以實作資訊的傳遞和交換。寫入資訊的操作過程，在第一次寫入資訊之前，存儲單元中的資訊是随機資訊。
假定要寫入資訊“1”:
1)位址碼加入，位址有效後，相對應的行選線X和列選線Ⅰ都為高電平，T5、T6、T7、T8導電;
2)片選信号有效
(低電平);
3)寫入信号有效，這時三态門G2、G3為工作态，G1輸出高阻态，資訊“1”經G2、T7、T5達到Q端;經G3反相後資訊“O”經T8、T6達到
。T4導電，T3截止，顯然資訊“1”已寫入了存儲單元。
假定要讀出資訊“1”:
1)通路該位址單元的位址碼有效;
2)片選有效
=O;
3)讀操作有效R/
=1;此時:三态門G1工作态，G2、G3高阻态，存儲單元中的資訊“1”經T5、T7、G1三态門讀出。
除上述NMOS結構的靜态SRAM以外，還有以下幾種類型的SRAM。
CMOS結構的SRAM:功耗更加低，存儲容量更加大。
雙極型結構SRAM:功耗較大，存取速度更加快。
2.動态存儲單元(DRAM)
靜态存儲單元存在靜态功耗，內建度做不高，是以存儲容量也做不大。動态存儲單元，利用了栅源間的MOS電容存儲資訊。其靜态功耗很小，因而存儲容量可以做得很大。靜态RAM功耗大和密度低，動态RAM功耗小和密度高。動态RAM需要定時重新整理，使用較複雜。
動态存儲單元(DRAM)的典型結構:
門控管T3、T4、T5、T6、T7、T8 , C1、C2為MOS電容。
DRAM的讀/寫操作過程:
1) 通路該存儲單元的位址有效;2)片選信号有(未畫);3)發出讀出資訊或寫入新資訊的控制信号。
讀出操作時，令原資訊Q=1，C2充有電荷，位址有效後，行、列選取線高電平;加片選信号後，送讀出信号R=1，W=O;T4、T6、T8導電，經T4、T6、T8讀出。寫入操作時，假定原資訊為“0”，要寫入資訊“1”，該存儲單元的位址有效後，X、Y為高電平;在片選信号到達後，加寫入指令W=1，R=0，即“1。資訊經T7、T5、T3對C2充電。充至一定電壓後，T2導電，C1放電，T1截止，是以，Q變為高電平，“1”資訊寫入到了該存儲單元中。如果寫入的資訊是“o”則原電容上的電荷不變。
動态RAM 的重新整理:由于DRAM靠MOS電容存儲資訊。當該資訊長時間不處理時，電容上的電荷将會因漏電等原因而逐漸的損失，進而造成存儲資料的丢失。及時補充電荷是動态RAM中一個十分重要的問題。補充充電的過程稱為“重新整理”一Refresh,也稱“再生”。
補充充電的過程:加預充電脈沖∅、預充電管T9、T10導電，CO1，C02很快充電至VDD，∅撤銷後，CO1，CO2上的電荷保持。然而進行讀出操作:位址有效，行、列選線X、Y高電平;R=1，W=0進行讀出操作，如果原資訊為Q=“1”，說明MOS電容C2有電荷，C1沒有電荷(即T2導電，T1截止);這時CO1上的電荷将對C2補充充電，而CO2上的電荷經T2導電管放掉，結果對C2實作了補充充電。讀出的資料仍為，
，則 DO=1。
實際在每進行一次讀出操作之前,必須對DRAM安排一次重新整理,即先加一個預充電脈沖,然後進行讀出操作。同時在不進行任何操作時,CPU也應該每隔一定時間對動态RAM進行一次補充充電(一般是2mS時間)，以彌補電荷損失。